温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供结晶InZnO氧化物半导体、其形成方法、和包括结晶InZnO氧化物半导体的半导体器件。结晶InZnO氧化物半导体包括包含In和Zn的氧化物，其中在电感耦合等离子体质谱法(ICP‑MS)分析中，In和Zn中的In的含量为约30原子％或更大...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。