嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法技术

本申请提供一种嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法，该存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起。本申请的有益效果：(1)存储区与逻辑区多晶硅栅极和栅氧化层分别独立生长刻蚀，便于不同厚度栅极的调控；(2)存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度，单个存储管的栅长由自对准刻蚀定义，利于器件尺寸缩小；(3)存储区选择管栅长在纵向上由刻蚀深度决定，利于缩减水平方向尺寸；(4)选择管栅极由第三多晶硅层和第二多晶硅层相连组成，将相邻两个选择管和其中间的源端连在一起，减少接触孔数量，利于尺寸缩小。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种嵌入式3d sonos存储器及其制造方法。

技术介绍

1、sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon，硅-氧化层-氮化层-氧化层-硅)存储器具有单元尺寸小、存储保持性好、操作电压低、与cmos工艺兼容等特点。sonos存储器使用半导体基底-隧穿氧化层-氮化层-阻挡氧化层-多晶硅栅层(即sonos)的栅极堆叠结构，是一种电荷陷阱型存储器。

2、现有的嵌入式3d sonos存储器的结构复杂，不利于存储器尺寸的缩小。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种嵌入式3d sonos存储器及其制造方法，用于解决现有技术中存储器尺寸难以进一步缩小的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种嵌入式3d sonos存储器的制造方法，包括：

3、步骤一，提供一衬底，在衬底中形成有源区；

4、步骤二，存储区阱注入和逻辑区阱注入后，在衬底上形成ono电荷存储层；

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【技术保护点】

1.一种嵌入式3D SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤四中的刻蚀使用的存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤五中，形成的所述存储管顶部氧化层的厚度定义存储管栅极的长度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤八中，对所述衬底的刻蚀深度定义选择管栅极的长度。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述...

【技术特征摘要】

1.一种嵌入式3d sonos存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤四中的刻蚀使用的存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤五中，形成的所述存储管顶部氧化层的厚度定义存储管栅极的长度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤八中，对所述衬底的刻蚀深度定义选择管栅极的长度。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述衬底的刻蚀深度为1000埃-2000埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤九中，通过热氧化或原位水气生成工艺实施...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，张可钢，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：