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本申请提供一种嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法，该存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起。本申请的有益效果：(1)存储区与逻辑区多晶...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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