一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿gan基hemt器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着5g技术的普及以及6g节点下相关技术的提出，以gan为代表的宽禁带半导体材料(wide band gap semiconductor)以其禁带宽度大、介电常数小的特点，具有高工作频率，高击穿电压，高输出功率等优势，其远高于其他半导体材料的约翰逊品质因数(johnson’s fom)，也使得gan材料在相同频率下具有更大的输出功率，相同输出功率下，具有更高的工作频率。同时，gan基hemt器件在异质结处具有高导电特性的二维电子气，在卫星通讯、雷达技术、军事对抗领域都有巨大应用潜力。因此，以gan为代表的第三代半导体材料成为微波毫米波领域的研究热点。

2、为进一步提高gan基hemt器件的电流增益截止频率ft和功率增益截止频率fmax，使其工作在更高频段下，需要对器件尺寸等比例缩放，此时器件的寄生电阻对功率特性和频率特性的影响显著增大，降低器件的寄生电阻对其在高频下的应用至关重要。降低欧姆接触电阻是降低hemt器件寄生电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件，其特征在于，所述衬底层的材料，包括：

3.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件，其特征在于，所述异质结结构的材料，包括：

4.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件，其特征在于，所述第一嵌套矩形沟槽和所述第二嵌套矩形沟槽的底部距离于所述二维电子气上方5nm-15nm；在所述第一嵌套矩形沟槽和所述第二...

【技术特征摘要】

1.一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿gan基hemt器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿gan基hemt器件，其特征在于，所述衬底层的材料，包括：

3.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿gan基hemt器件，其特征在于，所述异质结结构的材料，包括：

4.根据权利要求1所述的一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿gan基hemt器件，其特征在于，所述第一嵌套矩形沟槽和所述第二嵌套矩形沟槽的底部距离于所述二维电子气上方5nm-15nm；在所述第一嵌套矩形沟槽和所述第二嵌套矩形沟槽中，每一个嵌套矩形框凹槽的宽度相同，每一个嵌套矩形框凹槽的深度相同，相邻的嵌套矩形框凹槽之间的水平距离相同，所述水平距离与所述嵌套矩形框凹槽的宽度相同，所述水平距离和所述嵌套矩形框凹槽的宽度为2μm-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东，郭昂，陈兴，吴勇，黄永，常焕堉，李永军，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：