一种多晶硅还原炉底盘以及多晶硅还原炉制造技术

技术编号:41458061 阅读:23 留言:0更新日期:2024-05-28 20:44
本技术提供一种多晶硅还原炉底盘,所述底盘的盘面上开设有多个电极孔,用于连接硅棒,所述电极孔的布局方式是,从内至外依次布置在以盘面中心为形心的多个电极环带上,每个电极环带上的电极孔的数目为6n个,其中n为各电极环带从内至外的排列序号。本技术的多晶硅还原炉底盘结构布局合理,能够有效平衡热场,降低能耗和提高质量,促进多晶硅行业技术水平的提升,本技术还提供一种多晶硅还原炉。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产,具体涉及一种多晶硅还原炉底盘以及多晶硅还原炉


技术介绍

1、多晶硅生产领域目前多采用改良西门子法生产多晶硅。还原炉是生产多晶硅的核心设备,将来自罐区的三氯氢硅和氢气通过预热和计量控制后混合进入多晶硅还原炉进行气相沉积反应生产多晶硅。

2、目前还原炉底盘采用的硅棒的主流是40对棒和60对棒。通常还原炉底盘上设置的棒数越高,产量相对越大,电耗成本越低,因此还存在72、108对棒等不同炉型。但实际上,还原炉放大后,上述棒数存在热场不均、雾化严重以及缺相等问题,导致运行不稳定,产品质量波动,使得最终产品品质难以维持在统一水平。


技术实现思路

1、本技术的专利技术人发现,还原炉放大后出现上述热场不均、雾化严重以及缺相等问题的主要原因在于,为了提高棒数,局部硅棒密度较高,这种排布不均匀导致热场不均匀,调控困难。

2、故本技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种多晶硅还原炉底盘,该底盘结构布局合理,能够有效平衡热场,降低能耗和提高质量,促进多晶硅行业技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述底盘的盘面(1)上开设有多个电极孔(2),用于连接硅棒,

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带设有七个,使所述电极孔(2)的总数目为八十四对。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:各相邻的电极环带之间的直径差值均相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带上的多个电极孔(2)绕电极环带形心均匀布置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带上的多个电极孔(2)两两为一组,每...

【技术特征摘要】

1.一种多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述底盘的盘面(1)上开设有多个电极孔(2),用于连接硅棒,

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带设有七个,使所述电极孔(2)的总数目为八十四对。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:各相邻的电极环带之间的直径差值均相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带上的多个电极孔(2)绕电极环带形心均匀布置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于:所述电极环带上的多个电极孔(2)两两为一组,每组电极孔(2)绕电极环带形心均匀布置。

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【专利技术属性】
技术研发人员:王文银波刘兴平范协诚冯留建何隆穆凯代斯·太外库力
申请(专利权)人:新特能源股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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