固体摄像装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种固体摄像装置及其制造方法。该固体摄像装置能够抑制在像素单元排列上产生斑点状图案，同时，能够不增加制造成本而进行制造，由此抑制上述斑点图像不良的发生，获得优质的图像。本发明专利技术的特征在于，在按照包围固体摄像元件的受光区域的方式开口的格子状的遮光膜图案或者配线图案中，在图案的一部分中具有一定的间隙。此外，有时周边电路和像素上的配线层用作遮光膜。在该情况下，如果将多个配线层用作遮光膜，那么，根据第一配线层的布局，决定第二层以后的配线层的布局，在受光区域上，在包围受光区域的配线的一部分上具有一定的间隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种技术，在半导体基板上设置有光电转换元件的CCD ( Charge Coupled Device ) 型图像传感器或 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)型图像传感器的固体摄像装置中，在不 增加工艺成本的情况下，获得不会出现斑点这样的不良的优质的图像。
技术介绍
作为固体摄像装置，CCD型图像传感器在半导体基板上设置光电 二极管等光电转换元件和电荷传送路径，照射在光电转换元件上的光 被转换成信号电荷。然后，该信号电荷通过电荷传送路径传送，从输 出部输出。另一方面，MOS型图像传感器在半导体基板上的像素单元 内设置光电二极管等光电转换元件和晶体管等信号检测元件，照射在 光电转换元件上的光被转换成信号电荷。然后，与该被转换的信号电 荷的电荷量对应的信号从信号检测元件被读出。 在MOS型图像传感器中，使用放大型MOS传感器的固体摄像装 置近年备受关注。该固体摄像装置是在晶体管中放大用光电二极管在 每个像素单元中所检测出来的图像信号的装置，它具有高灵敏度的特 征。在这种固体摄像装置中，作为沿水平方向输出或者沿垂直方向输 出来自具有被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体摄像装置，其在半导体基板上二维状排列有多个具有光电二极管、和暂时保持在该光电二极管中产生的电荷的浮动扩散层的像素单元，其特征在于：　包围所述各个像素单元内的所述光电二极管且由所述光电二极管的正上方被开口的格子状图案构成的遮光膜，隔 着层间绝缘膜设置在所述半导体基板上的形成有所述多个像素单元的区域，　在所述各个像素单元内形成有构成所述遮光膜的格子状图案的一部分被切断的间隙。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-26 2008-2476111.一种固体摄像装置，其在半导体基板上二维状排列有多个具有光电二极管、和暂时保持在该光电二极管中产生的电荷的浮动扩散层的像素单元，其特征在于包围所述各个像素单元内的所述光电二极管且由所述光电二极管的正上方被开口的格子状图案构成的遮光膜，隔着层间绝缘膜设置在所述半导体基板上的形成有所述多个像素单元的区域，在所述各个像素单元内形成有构成所述遮光膜的格子状图案的一部分被切断的间隙。2. 如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于-在所述遮光膜的下部且所述各个光电二极管间的区域设置有下层膜。3. 如权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于 所述下层膜设置在所述遮光膜的正下方。4. 如权利要求2或3所述的固体摄像装置，其特征在于所述下层膜是配线层。5. 如权利要求2或3所述的固体摄像装置，其特征在于所述下层膜是驱动用晶体管的栅极配线。6. 如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于一对所述间隙设置在所述像素单元内的对角线上的位置。7. 如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于 所述间隙的形状是相对于所述格子状图案倾斜的形状。8. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：三室研，地崎润，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]