一种用于量测或检测设备的对焦方法及量测或检测方法技术

本发明专利技术涉及一种用于量测或检测设备的对焦方法及量测或检测方法，对焦方法包括：将待测样品放置于接收面，获取待测样品的反射率，基于反射率计算目标光强，调整光源系统以出射具有目标光强的入射光辐照待测样品；根据第二探测器采集到的总信号，提取第一信号光束的信号值，以及根据第三探测器采集到的总信号，提取第二信号光束的信号值；计算待测样品位于预设的高度位置条件下的离焦信号；获取待测样品位于不同高度位置条件下的相应离焦信号，并通过数学拟合获取离焦信号与待测样品的高度位置的关系函数；根据关系函数获取离焦信号为零时待测样品的目标高度位置，移动运动载台使得待测样品位于目标高度位置以完成对焦，使待测样品处于最佳焦面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体量测领域，尤其涉及一种用于量测或检测设备的对焦方法及量测或检测方法。

技术介绍

1、在半导体芯片制造过程中，良率是各个工艺环节都重点关照的指标。光学检测是晶圆表面检测常用技术手段，通过光学相机记录、算法处理等方式，整理缺陷的大小以及类型，用来分析改进后续工艺。

2、现在半导体制造的工艺节点已经达到几十纳米甚至几纳米级别，因而需要高分辨率(数值孔径(na)高达0.9)的物镜。此种物镜焦深约为250nm左右，考虑到晶圆表面高度差别可能有数微米甚至十几微米的高度差，同时检测载台真空吸附也会带来晶圆表面约数微米形变，这对检测设备获取最佳焦面带来了挑战；高产率还要求检测系统尽可能快速得到检测结果，这就要求对焦过程时间尽可能短；而不同晶圆因其材料、工艺、膜层等不同，其表面反射率具有较大差异，因此在对焦过程中使用固定光强的探测光容易超过探测器最佳探测范围，从而影响探测精度。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种用于量测或检测设备的对焦方法及量测或检测方法，解决不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述对焦方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述光源系统包括第一光源和第二光源，所述第一光源和第二光源交替工作以提供所述入射光。

3.根据权利要求2所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，在所述步骤S50之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述获取所述入射光以所述目标光强入射所述待测样品条件下，所述第二探测器采集到的杂散光信号以及所述第三探测器采集到的杂散光信号，包括：

5.根据权利要求4所述的用...

【技术特征摘要】

1.一种用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述对焦方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述光源系统包括第一光源和第二光源，所述第一光源和第二光源交替工作以提供所述入射光。

3.根据权利要求2所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，在所述步骤s50之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述获取所述入射光以所述目标光强入射所述待测样品条件下，所述第二探测器采集到的杂散光信号以及所述第三探测器采集到的杂散光信号，包括：

5.根据权利要求4所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述步骤s50中，所述根据所述第二探测器采集到的总信号，提取所述第一信号光束的信号值，以及根据所述第三探测器采集到的总信号，提取所述第二信号光束的信号值，包括：

6.根据权利要求5所述的用于量测或检测设备的对焦方法，其特征在于，所述步骤s60中，所述基于所述第一信号光束的信号值...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪汝俊，梁东，赵润川，雷艳飞，白平，
申请(专利权)人：上海精积微半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：