【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆清洗，更具体地说，本专利技术涉及晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法及系统。
技术介绍
1、近年来，随着半导体技术的发展，半导体晶圆的应用日益广泛，对工艺技术和质量要求也不断提高，但是，在半导体晶圆表面可能存在各种杂质，导致器件质量及成品率受到影响，据统计，清洗技术和清洗质量将直接影响器件性能，晶圆表面的污染物通常是以原子、离子、分子、粒子或膜的形式，以物理或化学吸附的方式，存在于晶圆表面，现有技术中，通常使用化学品溶液对晶圆表面进行清洗，化学品溶液能够有效地溶解和去除晶圆表面的污染物，从而确保晶圆表面的清洁度，然而现有技术中，较少出现对化学品配比进行有效的调控；
2、例如，公开号为cn116759291a的专利公开了一种晶圆的清洗方法，该专利虽然通过化学品溶液对晶圆的表面进行清洗，例如通过多巴胺溶液、盐酸混合液等冲洗晶圆的表面，但是并没有考虑到晶圆表面的污染物种类不同，会影响到晶圆的清洗工艺；
3、在晶圆加工的过程中会存在杂质，较为常见的是金属杂质和颗粒杂质，颗粒杂质主要包括刻蚀杂质、光刻胶等...
【技术保护点】
1.晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述将表面图像进行分割获得M个子图像的方法包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述基于第一欧氏距离确定第一像素点是否为相似点的方法包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述图像识别模型的构建方法包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述根据M个子图像的杂质...
【技术特征摘要】
1.晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述将表面图像进行分割获得m个子图像的方法包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述基于第一欧氏距离确定第一像素点是否为相似点的方法包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述图像识别模型的构建方法包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述根据m个子图像的杂质类别筛选出n个目标子图像的方法包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗过程中化学品自动配比调控方法，其特征在于，所述基于n个目标子图像计算目标子图像面积的方法包括：
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗过程中化学品自...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶曲波，王文和，杨俊龙，包从江，
申请(专利权)人：思恩半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。