【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件,具体涉及一种gan hemt多级异质缓冲层结构。
技术介绍
1、氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)具有禁带宽度大、击穿电压高、开关频率高、导通电阻低以及高温耐受能力强等优点,被认为是最有前途的功率器件之一。其较大的禁带宽度使其拥有高达3.5mv/cm的临界击穿场强,然而目前市场上的gan基hemt器件远远没有达到理论上的耐压水平,高压gan hemt器件的耐压水平也基本停留在650v,说明当前的gan hemt器件还未将gan材料的优势发挥到极致。
2、目前对于gan级hemt器件击穿机制的分析主要有以下三种:
3、局部电场过高引起碰撞电离,进而使得器件击穿失效;栅漏极之间的空气击穿;热失效。
4、针对其击穿机制进行大量研究后,学术界提出了一系列提升其击穿电压的方法。
5、针对gan hemt器件在击穿条件下,在栅电极处所遭受的电场拥挤问题,场板技术被应用以重新分布电场来提高其抗击穿能力。然而,场板的显著效果是针对具有短栅-漏距离的器件实现的,具有长栅-
...【技术保护点】
1.一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,布置于衬底与GaN沟道层之间,其特征在于,所述多级异质缓冲层结构为:
2.根据权1所述的一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,其特征在于:第一缓冲层至第N缓冲层的Al含量递减。
3.根据权1所述的一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,其特征在于:
4.根据权3所述的一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,其特征在于:
5.根据权1所述的一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,其特征在于:
6.根据权1所述的一种GaN HEMT多级异质缓冲层结构,其特征在于:
...【技术特征摘要】
1.一种gan hemt多级异质缓冲层结构,布置于衬底与gan沟道层之间,其特征在于,所述多级异质缓冲层结构为:
2.根据权1所述的一种gan hemt多级异质缓冲层结构,其特征在于:第一缓冲层至第n缓冲层的al含量递减。
3.根据权1所述的一种gan hemt多级异质缓冲层结构,其特征在于:
4.根据权3所述的一种gan hemt多级异质缓冲层结构,其特征在于:
5.根据权1所述的一种gan hemt多级异质缓冲层结构,其特征在于:
【专利技术属性】
技术研发人员:曾凯,刘莉,师毅恒,李刚朋,郭靖祺,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。