【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜技术,特别涉及一种在真空镀膜中进行水蒸气掺杂的方法和水蒸气掺杂装置。
技术介绍
1、在真空镀膜工艺中,尤其是采用物理气相沉积方法制备半导体薄膜的工艺过程中,通常利用mfc(气体质量流量计)将以液态水为水源产生的水蒸气引入工艺腔室(即真空镀膜室),这种方式的特点是流量稳定且可控。但在实际使用过程中,本专利技术人发现量程10sccm的mfc对于≤0.5sccm的流量值不能稳定控制,在设备正常的情况下,流量值的变化不能引起相应的真空度变化,这说明以mfc作为通气工具,实际进入真空镀膜室内的气体流量是不稳定的。由于ito(氧化铟锡)薄膜的光电性能对水蒸气浓度极为敏感,对水汽的需求也极其微量,例如一些工艺中所需的水蒸气流量小于1sccm,而现有的以液态水为水源、以mfc作为通气工具的水蒸气掺杂方式中,容易出现水蒸气通入流量无法稳定控制的情形,造成水蒸气的流量波动较大,影响生产稳定性。此外,当mfc控制不稳定时,过量水蒸气的掺入会使真空镀膜室的阴极挡板上沉积的薄膜更容易脱落,增加腔室内的粉尘,造成镀膜产品的污染。
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【技术保护点】
1.一种在真空镀膜中进行水蒸气掺杂的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水分压检测仪为残余气体分析仪,优选所述残余气体分析仪对水分压的检测下限≤1×10-11Torr。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一真空腔室连接有第一抽气系统,通过所述第一抽气系统能使所述第一真空腔室达到第一预设真空度;优选的,所述第一预设真空度≤2E-5Torr;
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述结晶水合物
...【技术特征摘要】
1.一种在真空镀膜中进行水蒸气掺杂的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水分压检测仪为残余气体分析仪,优选所述残余气体分析仪对水分压的检测下限≤1×10-11torr。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一真空腔室连接有第一抽气系统,通过所述第一抽气系统能使所述第一真空腔室达到第一预设真空度;优选的,所述第一预设真空度≤2e-5torr;
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述结晶水合物选自cuso4·5h2o、caso4·2h2o、ch3coona·3h2o中的一种或多种;所述分子筛选自3a分子筛。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,
7.一种用于实施权利要求1-6任一项所述的方法的水蒸气掺杂装置,其特征在于,所述水蒸气掺杂装置包括第一真...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄星烨,李博研,韩钰,钟大龙,
申请(专利权)人:国家能源投资集团有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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