一种用于沉积透明导电膜的镀膜系统和方法技术方案

技术编号:46509464 阅读:4 留言:0更新日期:2025-09-26 19:27
本公开涉及一种用于沉积透明导电膜的镀膜系统和方法,该系统包括:真空进样装置、微波发生器、真空镀膜腔室和水蒸气发生组件;微波发生器设置于真空进样装置的腔体内,以用于除去真空进样装置腔体内的待镀膜样品表面的水;水蒸气发生组件包括水蒸气发生腔和第一真空抽气装置,水蒸气发生腔用于放置结晶水合物以产生微量水蒸气,第一真空抽气装置用于使水蒸气发生腔内为真空状态;真空进样装置的样品出口与真空镀膜腔室的样品入口连通,真空镀膜腔室的水蒸气入口与水蒸气发生组件的水蒸气出口连通。本公开的系统使得制备得到的透明导电薄膜的面电阻和电阻率更低,平均透过率更高,本公开的工艺稳定性优良。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及镀膜领域,具体地,涉及一种用于沉积透明导电薄膜的镀膜系统和方法。


技术介绍

1、市场中常用的透明导电膜(tco)有ito、azo等,ito薄膜可用于制备导电玻璃以及作为各种太阳能电池、显示器等光电器件的电极,所以ito的镀膜衬底有很多类型,包括有机无机玻璃、晶硅太阳能电池片、薄膜太阳能电池片等。这些衬底材料的表面存在大量的羟基(oh-),在大气环境中极易吸附水蒸气,所以镀膜衬底表面吸附了大量的水分子,这些水分子在真空中加热150~200℃或遭受等离子体轰击时可从材料表面解吸,但有些镀膜衬底无法经受高温和等离子的破坏作用。并且衬底表面在镀膜过程中释放的水分子会对tco薄膜的制备工艺产生干扰,将严重影响tco薄膜的性能和工艺的稳定性。同时,由于沉积透明导电薄膜的过程对水分的含量格外敏感,如何精确控制制备过程中水蒸气的通入量,以满足ito制备工艺对水蒸气的需求来制备高性能的透明导电膜也是个亟需解决的问题。


技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种用于沉积透明导电膜的镀膜系统和方法,该系统和方法能够制备得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于沉积透明导电膜的镀膜系统,其特征在于,该系统包括:真空进样装置(1)、微波发生器(2)、真空镀膜腔室(3)和水蒸气发生组件(4);

2.根据权利要求1所述镀膜系统,其中,所述真空进样装置(1)还包括加热栅网(5)、惰性气体管道(6)和样品台架;

3.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,该系统还包括第二真空抽气装置(7)和第三真空抽气装置(8);

4.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,该系统还包括残余气体分析仪(10),所述残余气体分析仪(10)用于分析所述真空镀膜腔室内的气体组分。

5.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,所述...

【技术特征摘要】

1.一种用于沉积透明导电膜的镀膜系统,其特征在于,该系统包括:真空进样装置(1)、微波发生器(2)、真空镀膜腔室(3)和水蒸气发生组件(4);

2.根据权利要求1所述镀膜系统,其中,所述真空进样装置(1)还包括加热栅网(5)、惰性气体管道(6)和样品台架;

3.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,该系统还包括第二真空抽气装置(7)和第三真空抽气装置(8);

4.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,该系统还包括残余气体分析仪(10),所述残余气体分析仪(10)用于分析所述真空镀膜腔室内的气体组分。

5.根据权利要求1所述的镀膜系统,其中,所述真空镀膜腔室(3)和所述水蒸气发生组件(4)通过第一通道流体连通,所述第一通道上设置有第一阀门(11),所述第一阀门(11)用于控制所述真空镀膜腔室(3)内的水蒸气含量;

6.一种沉积透明导电膜的方法,其特征在于,该方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄星烨李博研韩钰钟大龙
申请(专利权)人:国家能源投资集团有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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