【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计与集成系列，尤其涉及一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路。
技术介绍
1、进入电子信息时代以来，各类电子产品广泛的融入到人们的生活中，dcdc转换器作为各类电子产品内部的常用模块，其性能也在不断的提升。由于传统的dcdc转换器内部斜坡补偿电路的补偿斜率相对固定，易导致稳定性较差、动态响应速度较低等情况出现，进而影响电子产品的整体性能。当降压型的dcdc转换器的占空比高于50％时，电流反馈环路会出现次谐波振荡情况，进而导致dcdc转换器不能稳定工作。斜坡补偿电路作为dcdc转换器的重要组成模块，要求斜坡补偿电路具有高可靠性，低静态功耗等性能的同时还要保持与输出电压之间的动态跟随关系，因此高性能的斜坡补偿电路的设计是极为重要的。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，在保证dcdc转换器系统的稳定性同时尽可能提升斜坡补偿电路的整体性能，降低其静态功耗，提升其动态频率补偿能力。
2、为实现上述目的，本专利技术提出了一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，包括：偏置电压子电路，输出电压检测子电路，电压预放大子电路，电压比较子电路，斜坡电流产生子电路和斜坡电压产生子电路；
3、所述偏置电压子电路：用于提供所述电压预放大子电路和所述电压比较子电路所需的偏置电压，所述偏置电压提供到了所述电压预放大子电路中电流镜结构和所述电压比较子电路中负载结构；
4、所述输出电压检测子电
5、所述电压预放大子电路，用于将所述dcdc转换器输出电压和预先设置的斜坡电压的差值进行放大；
6、所述电压比较子电路，用于将所述电压预放大子电路输出的dcdc转换器输出电压和斜坡电压的差值进行比较，通过比较结果产生脉冲控制信号控制斜坡电流的产生与关断；
7、所述斜坡电流产生子电路，用于根据所述比较结果产生具有跟随特性的斜坡电流，同时根据所述脉冲控制信号来产生幅度可调的斜坡电流信号；
8、所述斜坡电压产生子电路，用于产生斜坡电压，其中，斜坡电压根据所述比较结果动态调整频率，同时根据所述脉冲控制信号对所述斜坡电压峰值进行控制。
9、可选的，所述偏置电压子电路包括：pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmos管m4、nmos管m5、nmos管m6、电阻r1；
10、所述pmos管m1的漏极与nmos管m3的漏极相连接，pmos管m2的漏极与nmos管m4的漏极相连接，nmos管m3的源极与nmos管m5的漏极相连接，nmos管m4的源极与nmos管m6的漏极和栅极相连接，nmos管m5的源极与电阻r1相连接。
11、可选的，所述输出电压检测子电路包括：pmos管m7、pmos管m8、pmos管m9、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电容c1、nmos管m18，其中，所述pmos管m7的漏极和所述pmos管m8、所述pmos管m9的源极相连接，所述pmos管m8的漏极与所述电阻r4连接，pmos管m9的漏极与电阻r5、pmos管m12的栅极相连接。
12、可选的，所述输出电压预放大子电路包括：电阻r1和r2；
13、所述电阻r1和r2通过串联的方式进行连接并完成电压放大。
14、可选的，所述电压比较子电路包括：pmos管m10、pmos管m11、pmos管m12、nmos管m13、nmos管m14、nmos管m17，所述pmos管m10的漏极与pmos管m11的栅极和pmos管m12的栅极连接，pmos管m11的漏极和nmos管m13的漏极连接，pmos管m12的漏极和nmos管m14的漏极连接，且与nmos管m17的源极连接，所述pmos管m11的栅极与所述pmos管m8的漏极相连接。
15、可选的，所述斜坡电流产生子电路包括：pmos管m15、pmos管m16、电阻r6、nmos管m18、nmos管m19、nmos管m20、nmos管m21、pmos管m22、pmos管m23、pmos管m24、pmos管m25、nmos管m26、电容c2。
16、所述pmos管m15栅极与pmos管m16栅极连接，所述pmos管m16漏极与nmos管m18的漏极连接，所述nmos管m18的栅极与漏极和nmos管m19的栅极连接，所述nmos管m20的栅极与漏极和nmos管m21的栅极连接，所述nmos管m20的源极和nmos管m21的源极和地端连接，所述pmos管m22栅极和漏极与pmos管m24栅极连接，所述pmos管m23栅极和漏极与pmos管m25栅极连接，所述nmos管m26漏极与pmos管m25漏极以及电容c2连接，所述nmos管m27源极和nmos管m26源极以及地端连接。
17、可选的，所述斜坡电压产生子电路包括：pmos管m7、pmos管m8、pmos管m9、pmos管m10、pmos管m11、pmos管m12、nmos管m13、nmos管m14、nmos管m18、电阻r4、电阻r5、电容c1。
18、所述pmos管m7的漏极和pmos管m8、pmos管m9的源极相连接，pmos管m8的漏极与电阻r4、pmos管m11的栅极相连接，pmos管m9的漏极与电阻r5、pmos管m12的栅极相连接，pmos管m11的漏极和nmos管m13的源极和栅极相连接，pmos管m12的漏极和nmos管m14的源极和栅极相连接，nmos管m13的源极和nmos管m14的源极与地端相连接，pmos管m9的栅极与负载电容c1、nmos管m18的漏极相连接。
19、与现有技术相比，本专利技术具有如下优点和技术效果：
20、本专利技术主要解决了dcdc转换器中传统的斜坡补偿电路无法实现动态调节的问题，提升了dcdc转换器的整体稳定性，解决了转换器内部电流环路易产生次谐波振荡的情况，同时能够对dcdc转换器的输出电压进行采样结合脉冲控制信号，对斜坡电压的峰值和频率进行有效控制。通过将采样的电压和斜坡电压进行预放大并结合高精度电压比较结构，实现了对转换器输出电压的高精度检测，并提高了斜坡补偿电路输出电压的控制精度，能够有效提升dcdc转换器的系统稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，包括：偏置电压子电路，输出电压检测子电路，电压预放大子电路，电压比较子电路，斜坡电流产生子电路和斜坡电压产生子电路；
2.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述偏置电压子电路包括：PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电阻R1；
3.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述输出电压检测子电路包括：PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、NMOS管M18，其中，所述PMOS管M7的漏极和所述PMOS管M8、所述PMOS管M9的源极相连接，所述PMOS管M8的漏极与所述电阻R4连接，PMOS管M9的漏极与电阻R5、PMOS管M12的栅极相连接。
4.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述输出电压预放大子电路包括：电阻R1和R2；
5.根据权利要求3所述的一种具有动态
6.根据权利要求5所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述斜坡电流产生子电路包括：PMOS管M15、PMOS管M16、电阻R6、NMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、PMOS管M22、PMOS管M23、PMOS管M24、PMOS管M25、NMOS管M26、电容C2；
...【技术特征摘要】
1.一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，包括：偏置电压子电路，输出电压检测子电路，电压预放大子电路，电压比较子电路，斜坡电流产生子电路和斜坡电压产生子电路；
2.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述偏置电压子电路包括：pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmos管m4、nmos管m5、nmos管m6、电阻r1；
3.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其特征在于，所述输出电压检测子电路包括：pmos管m7、pmos管m8、pmos管m9、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电容c1、nmos管m18，其中，所述pmos管m7的漏极和所述pmos管m8、所述pmos管m9的源极相连接，所述pmos管m8的漏极与所述电阻r4连接，pmos管m9的漏极与电阻r5、pmos管m12的栅极相连接。
4.根据权利要求1所述的一种具有动态自适应功能的斜坡补偿电路，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：任明远，吕润泽，江晓林，董长春，韩天，张竹，李翔宇，张晓伟，
申请(专利权)人：金华高等研究院金华理工学院筹建工作领导小组办公室，
类型：发明
国别省市：
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