【技术实现步骤摘要】
本申请涉及基因测序芯片加工，尤其涉及测序芯片的制备方法。
技术介绍
1、现有的基因测序芯片加工包括如下两种做法。做法1：上下基板采用平面玻璃，在非涂胶区域(及生化反应区域)疏水化修饰过程中，使用遮蔽胶带对涂胶区域进行保护，保持涂胶区域亲水状态以确保粘合剂在涂胶区域的充分润湿和扩散。做法2：上下基板分别为平面玻璃和带有蚀刻流道的玻璃，使用胶等粘性物质将硅烷化修饰后的上下基板粘合形成含有多个流道的芯片，再向流道中通液进行表面修饰。
2、做法1中，采用遮蔽胶带使涂胶区域保持亲水性的方式，该方案额外引入了遮蔽胶带裁剪、贴合、遮蔽胶带去除等步骤，工艺较为繁琐；另一方面遮蔽胶带的残胶可能会污染非涂胶区域，粘接质量的风险。做法2中，为考虑当玻璃表面官能团密度较高时，玻璃表面的水滴接触角较大，胶黏物质在玻璃表面润湿性不足，易导致芯片封装质量下降，影响产品稳定性；另一方面，样品封装后再进行多轮修饰，设备的运营维护成本相对较高，且单片修饰方式的生产效率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提出一种测序芯片的制备方法，提高了测序芯片的生产效率。
2、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种测序芯片的制备方法，采用了如下所述的技术方案：
3、将第一待修饰基板和第二待修饰基板分别放置于两个聚四氟架上；
4、将两个所述聚四氟架同时或分开放置在气相沉积设备中，分别对第一待修饰基板和第二待修饰基板进行硅烷化修饰处理，分别获得第一硅烷化修饰基板和第二硅烷化
5、将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板；
6、超声清洗后干燥所述第一目标基板和所述第二目标基板；
7、在干燥后的所述第一目标基板的表面点涂uv胶，将干燥后的所述二目标基板经对位后层叠放置在所述第一目标基板上，获得封装后的芯片；
8、向所述芯片中注入接头溶液，封口后加热进行反应，清洗后完成所述芯片表面修饰工艺，获得所述测序芯片。
9、进一步的，所述第一待修饰基板或所述第二待修饰基板上设有用于液体流动的通孔。
10、进一步的，所述第一待修饰基板为流道刻蚀玻璃，所述第二待修饰基板为平板玻璃。
11、进一步的，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板的步骤包括：
12、将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中，在加热条件下进行聚合反应，并同时进行超声或震荡。
13、进一步的，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板的步骤包括：
14、将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中，在加热条件下进行聚合反应，并同时进行超声或震荡。
15、进一步的，所述气相沉积设备的参数设定为：
16、等离子处理：氧气分压0.3t,等离子功率300w，等离子作用时间600s；
17、硅烷化修饰：腔体温度100℃，降冰片烯硅烷蒸气分压0.15t，反应时间7200s。
18、进一步的，所述聚合物溶液的质量分数为0.1％。
19、进一步的，所述聚合物溶液预先经过孔径为0.22μm尼龙66滤膜过滤并恒温在25℃。
20、进一步的，所述向所述芯片中注入接头溶液，封口后加热进行反应的步骤包括：
21、制备末端带有双环[6,1,0]壬炔官能团的接头，注入到所述芯片的流道中，封闭所述芯片的进出液口；
22、在60℃下反应30min，完成接头种植。
23、进一步的，所述接头为p5接头或p7接头，所述接头的浓度为4μm。
24、与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：
25、本申请区别于传统的流道内修饰的方式，采用浸泡方案进行聚合物修饰有利于芯片粘接以及芯片的量产修饰工艺。本申请在不引入额外工艺流程前提下，依靠芯片聚合物修饰过程中基片表面接触角的固有变化规律，将基片硅烷化修饰的疏水状态将转化为亲水状态以确保芯片封装的鲁棒性。相比传统的注液法，浸泡法提高了芯片聚合物修饰的生产效率，并且避免传统的聚合物注液修饰及清洗工艺对设备的特殊要求，即降低了对注液设备的要求，同时浸泡法单批次处理的样品数量远多于流道注液方案，降低了芯片加工的总体成本。本申请解决了基片表面硅烷修饰后的高官能团密度引起的低润湿性对芯片粘接和封装质量产生不利影响；实现了与流道内修饰工艺等同的聚合物批量修饰工艺。
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1.一种测序芯片的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述第一待修饰基板或所述第二待修饰基板上设有用于液体流动的通孔。
3.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述第一待修饰基板为流道刻蚀玻璃，所述第二待修饰基板为平板玻璃。
4.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述气相沉积设备的参数设定为：
7.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液的质量分数为0.1％。>
8.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液预先经过孔径为0.22μm尼龙66滤膜过滤并恒温在25℃。
9.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述向所述芯片中注入接头溶液，封口后加热进行反应的步骤包括：
10.根据权利要求9所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述接头为P5接头或P7接头，所述接头的浓度为4μM。
...【技术特征摘要】
1.一种测序芯片的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述第一待修饰基板或所述第二待修饰基板上设有用于液体流动的通孔。
3.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述第一待修饰基板为流道刻蚀玻璃，所述第二待修饰基板为平板玻璃。
4.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚四氟架一并放入到聚合物溶液中进行聚合反应，分别获得第一目标基板和第二目标基板的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的测序芯片的制备方法，其特征在于，所述将所述第一硅烷化修饰基板和所述第二硅烷化修饰基板连同各自对应的所述聚...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋析文，莫君勇，杨明亮，刘世林，佟瑶，易阳萍，
申请(专利权)人：广州达安基因股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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