发光二极管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管及其制作方法、显示面板。发光二极管包括：N型半导体层；P型半导体层；有源层，位于N型半导体层与P型半导体层之间；有源层包括层叠交替设置的量子阱层和量子垒层。在本发明专利技术中，沿着N型半导体层到P型半导体层方向，量子垒层的厚度逐渐增大，越靠近P型半导体层的量子垒层，其厚度越大，使得P型半导体层方向的杂质难以穿过量子垒层，提高了对P型半导体层中的杂质抵抗能力；沿着N型半导体层到P型半导体层方向，量子垒层的势垒高度逐渐升高，越靠近P型半导体层的量子垒层，其势垒高度越高，使得越靠近P型半导体层的量子阱对载流子的束缚能力越强，提升了量子阱中载流子的复合效率，提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，尤其是涉及一种发光二极管及其制作方法、显示面板。

技术介绍

1、具有微小尺寸和矩阵化的微发光二极管(micro led)在显示方面的应用越来越重要，尤其是在穿戴产品和高分辨显示器方面，比lcd和oled更具有优势。在目前的发展阶段，一般用algainp系材料生长形成红光微发光二极管。

2、但是，使用algainp系材料制作发光二极管(led)或者微发光二极管时，对应正极结构层的掺杂元素一般为较为活泼的金属元素如mg和zn，该掺杂元素容易进入非掺杂的多量子阱结构层中，严重影响多量子阱结构层的结构稳定性，影响整个发光器件的发光效率，并降低了整个发光器件的使用寿命。

3、因此，目前亟需提高algainp系材料制作的红光发光二极管中多量子阱结构层对正极结构层中的杂质抵抗能力。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管的技术方案，旨在解决现有发光二极管技术方案中多量子阱结构层对正极结构层中的杂质抵抗能力不足的技术问题。</p>

2、本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，沿着所述N型半导体层到所述P型半导体层的方向，各个所述量子垒层的厚度依次逐渐增大，且各个所述量子垒层的势垒高度依次逐渐升高。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的多组量子阱，每组所述量子阱包括层叠交替设置的所述量子阱层和所述量子垒层，在每组所述量子阱中，各个所述量子垒层的厚度一样，且各个所述量子垒层的势垒高度分布一样；沿着所述N型半导体层到所述P型半导体层的方向，各组所述量子阱中所述量子垒层的厚度依次逐渐增大，各组所述量子阱中所述量子垒层...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，沿着所述n型半导体层到所述p型半导体层的方向，各个所述量子垒层的厚度依次逐渐增大，且各个所述量子垒层的势垒高度依次逐渐升高。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的多组量子阱，每组所述量子阱包括层叠交替设置的所述量子阱层和所述量子垒层，在每组所述量子阱中，各个所述量子垒层的厚度一样，且各个所述量子垒层的势垒高度分布一样；沿着所述n型半导体层到所述p型半导体层的方向，各组所述量子阱中所述量子垒层的厚度依次逐渐增大，各组所述量子阱中所述量子垒层的势垒高度依次逐渐升高。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述量子垒层的材质包括(alxga1-x)0.5in0.5p，且0.8≥x≥0.7。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，沿着所述n型半导体层到所述p型半导体层的方向，至少部分靠近所述p型半导体层的所述量子垒层中al含量先增后减，呈中间高两边低的分布。

6.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述n型半导体层包括依次层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙威威，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：