【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光纤通信中半导体芯片,特别是涉及一种芯片解理后剥离的装置与方法。
技术介绍
1、在芯片制备完成后,芯片晶圆都会先被整体安装在一个高分子薄膜(背膜)上,然后采用解理技术将芯片分切为独立的相互分离的芯片,最后将芯片从背膜取下成为成品芯片,而在从背膜取下的过程中由于背膜的粘附力较强,需要使用较大的剥离力,难以快速、完好的将芯片从背膜剥离下来。
2、有鉴于此,如何克服现有技术所存在的缺陷或需求,解决上述技术问题,实现快速、完好的将芯片从背膜剥离下来的目的,是本
待解决的难题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷或改进需求:将芯片从背膜取下的过程中由于背膜的粘附力较强,需要使用较大的剥离力,难以快速、完好的将芯片从背膜剥离下来。本专利技术提出了一种芯片解理后剥离的装置与方法,能够有效降低芯片的剥离力,从而快速、稳定、低损伤的将芯片从背膜剥离,提高芯片可靠性、生产效率。
2、本专利技术实施例采用如下技术方案:
3、第一方面,本专利技术提供了一
...【技术保护点】
1.一种芯片解理后剥离的装置,其特征在于,包括真空吸附平台(1)、隔离网(2)、密封固定支架(3)以及真空控制器(4),其中:
2.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述隔离网(2)的面积大于被处理的带有背膜的解理后芯片总面积,所述隔离网(2)的厚度大于50微米,所述隔离网(2)上的经纬线直径为0.05mm至5mm之间。
3.根据权利要求2所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述隔离网(2)上的网格分块设置,每相邻两块网格之间的经纬线设置互相垂直。
4.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所
...【技术特征摘要】
1.一种芯片解理后剥离的装置,其特征在于,包括真空吸附平台(1)、隔离网(2)、密封固定支架(3)以及真空控制器(4),其中:
2.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述隔离网(2)的面积大于被处理的带有背膜的解理后芯片总面积,所述隔离网(2)的厚度大于50微米,所述隔离网(2)上的经纬线直径为0.05mm至5mm之间。
3.根据权利要求2所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述隔离网(2)上的网格分块设置,每相邻两块网格之间的经纬线设置互相垂直。
4.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述温控仪(402)用于将所述真空吸附平台(1)的温度控制在室温~350℃。
5.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,所述真空控制器(4)还包括气压表(403)以及调压旋钮(404),所述气压表(403)用于显示所述解理后芯片的背膜与所述真空吸附平台(1)之间的压力,所述调压旋钮(404)用于使所述解理后芯片的背膜与所述真空吸附平台(1)之间形成-1pa至-103pa的大气压差。
6.根据权利要求1所述的芯片解理后剥离的装置,其特征在于,还包括底座(5),所述真空吸附平台(1)设置在所述底座(5)上。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员:陈如山,杨旭,付熹晨,付强,王艳,
申请(专利权)人:武汉光迅科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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