【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多孔石墨制备，尤其涉及一种改性多孔石墨及其制备方法和应用。
技术介绍
1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
2、第三代半导体材料由于其高禁带宽度、高击穿电压、高电导率等优势，在未来将广泛应用于新能源汽车、微波通讯、国防军工等重要领域。目前物理气相传输法(pvt)生长的碳化硅单晶作为最成熟且具代表性的新一代半导体产品，成为了产业化的主要目标。pvt法单晶生长过程中，石墨坩埚中通过放置多孔石墨进行原料的过滤筛分，纯化单晶生长气氛，能起到有效降低晶体微管、包裹体等晶体缺陷，提高晶体质量，降低产业生产成本的目的。
3、多孔石墨的孔径分布会对pvt法单晶生长过程产生影响，不仅影响碳化硅单晶的生产效率，还会影响单晶的生长质量。专利cn 116120079b(授权公告日：2020.10.13)公开了一种物理气相传输法生长碳化硅晶体用多孔石墨隔板制造方法，该专利发现采用氯化铵溶液浸泡处理直...
【技术保护点】
1.一种改性多孔石墨的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原料焦包括生石油焦、沥青焦或冶金焦中的一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂包括酚醛树脂、环氧树脂、石墨胶或石油沥青中的一种；所述造孔剂包括聚乙烯吡咯烷酮、氯化钾、丁苯橡胶、葡萄糖或聚氯乙烯中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粉碎分级步骤具体为：将原料焦粉碎后，按40～80目和80～300目两级原料以质量比为20～30：70～80进行混合。
5.如权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种改性多孔石墨的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述原料焦包括生石油焦、沥青焦或冶金焦中的一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂包括酚醛树脂、环氧树脂、石墨胶或石油沥青中的一种；所述造孔剂包括聚乙烯吡咯烷酮、氯化钾、丁苯橡胶、葡萄糖或聚氯乙烯中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粉碎分级步骤具体为：将原料焦粉碎后，按40～80目和80～300目两级原料以质量比为20～30：70～80进行混合。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述与粘结剂、造孔剂混合球化造粒采用的设备为混合造粒机。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压制的压力为15～30mpa，时间为0.5～1h；所述压制采用的设备包括热挤压机、热模压机或热等静压...
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