System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种晶圆溅射镀膜装置及工艺制造方法及图纸_技高网

一种晶圆溅射镀膜装置及工艺制造方法及图纸

技术编号:41372356 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-20 10:17
本发明专利技术公开了一种晶圆溅射镀膜装置及工艺,涉及晶圆镀膜技术领域,该装置包括镀膜仓、基座、支撑轴、弹性密封机构、容置槽和扶正机构,其中,镀膜仓的顶部设置有靶材,底部有通孔;基座在镀膜仓中承载晶圆,支撑轴的一端与基座固接,另一端穿过通孔,弹性密封机构用于为支撑轴提供弹性支撑和弹性密封,容置槽位于镀膜仓的下方,且内部预置有可形变液和温控器,其中温控器控制可形变液温度,使其在固态和液态间转变,扶正机构底部浸润在液态可形变液中,自适应调整至竖直状;本装置及工艺可实现对于基座的自动化调平,进而使得在对晶圆进行溅射镀膜时能够提升膜厚的均匀性,提升晶圆的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆镀膜,具体是一种晶圆溅射镀膜装置及工艺


技术介绍

1、在晶圆溅射镀膜工艺中,膜厚均匀性对于评估薄膜质量和镀膜装置性能至关重要。要实现这一目标,我们必须全面研究影响磁控溅射薄膜的各种因素。除了考虑靶基距和磁路布置外,晶圆水平度也是一个不容忽视的关键因素。

2、晶圆水平度在镀膜均匀性方面扮演着重要角色;如果晶圆在溅射过程中存在较大的水平度偏差,将会导致金属原子或离子在沉积时分布不均。这不仅会影响薄膜的厚度均匀性,还可能引发其他质量问题,如孔隙率增加或覆盖不全。

3、然而,在现有的磁控溅射镀膜工艺中,基座被置于真空腔室内,用于支撑晶圆。由于装配工艺和真空腔室安装位置的影响,基座的水平度往往难以精确控制。

4、更为严峻的是,当前技术无法实时调整基座的水平度。一旦装配完成,水平度便无法得到纠正,这对工艺精度和稳定性带来了严重影响,限制了溅射镀膜质量的进一步提升。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于改善晶圆溅射镀膜工艺的精度和稳定性,提高对于晶圆水平度的控制,并寻求创新的技术解决方案来克服当前技术的局限性。从而推动薄膜产业的持续发展和提升。

2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种晶圆溅射镀膜装置,包括:

3、镀膜仓,所述镀膜仓的顶部内侧设置有靶材,所述镀膜仓的底部开设有通孔;

4、基座,其位于所述镀膜仓中且用于承载待镀膜的晶圆;

5、支撑轴,其一端与所述基座垂直固接,另一端滑动穿过所述通孔;

6、弹性密封机构,其嵌入至所述通孔中,且用于为所述支撑轴提供弹性支撑和弹性密封;

7、容置槽,其位于所述镀膜仓的下方,且内部容置有可形变液,所述容置槽中还嵌入有温控器,用于控制所述可形变液温度,进而调整所述可形变液在固态和液态之间转变;以及

8、扶正机构,其底部浸润于液态的可形变液中且能够自适应调整至竖直状,之后可形变液呈固态并锁定所述扶正机构,此时所述扶正机构的顶部对支撑轴进行调整,并使得所述支撑轴呈竖直状。

9、进一步,作为优选,所述扶正机构包括:

10、线体,其连接于所述支撑轴的底部;

11、自定位盘,其连接于所述线体的底部,且所述自定位盘的下表面始终低于所述可形变液的上表面;以及同轴调节机构,其底部与所述自定位盘相连,顶部套设于所述支撑轴的外部,且用于将所述支撑轴调节至与所述自定位盘同轴。

12、进一步,作为优选,所述同轴调节机构包括:

13、顶环,其为环状结构,且能够为所述支撑轴提供让位;

14、至少三个呈圆周阵列分布的调整座,其固定于所述顶环上;

15、横爪,沿所述顶环的径向滑动穿过所述调整座;

16、竖爪,其沿顶环的轴向滑动穿过所述横爪和调整座,且当调整所述竖爪与所述调整座之间的相对轴向位置时能够驱动横爪进行径向滑动;以及弧板,其固定于所述横爪靠近所述支撑轴的一端端部。

17、进一步,作为优选,所述横爪的中部开设有通槽,用于安装辊体以及为所述竖爪提供让位,所述竖爪靠近所述辊体的一端为斜面;

18、所述顶环的下方采用驱动件安装有底环,所述驱动件能够驱动所述顶环朝向所述底环方向移动或远离所述底环方向移动;

19、所述底环采用伸缩杆支撑于外环上,所述外环固接于所述自定位盘上。

20、进一步,作为优选,多个所述弧板相互接触时能够构成一环形,所述环形贴合所述支撑轴的外部。

21、进一步,作为优选,所述自定位盘的底部固定有锁定轴。

22、进一步,作为优选,所述线体具有弹性伸缩性,所述容置槽的一侧设置有抬升器,用于抬升所述底环。

23、进一步,作为优选,所述弧板中嵌入有应变片。

24、进一步,作为优选,所述可形变液为水或可形变金属液。

25、一种晶圆溅射镀膜工艺,包括如下步骤:

26、s1.将待镀膜的晶圆放置于基座上;

27、s2.温控器调节可形变液的温度并使其保持液态;

28、s3.自定位盘浸于所述可形变液中,并自适应保持竖直状态;

29、s4.温控器调节可形变液的温度并使其保持固态,形成对于所述定位盘的锁紧;

30、s5.同轴调节机构将所述支撑轴调节至与所述自定位盘同轴;

31、s6.镀膜仓先进行真空处理,然后通入氩气;

32、s7.对靶材施加电压,实现溅射镀膜。

33、与现有技术相比,本专利技术提供了一种晶圆溅射镀膜装置及工艺,具备以下有益效果:

34、本装置及工艺可实现对于基座的自动化调平,进而使得在对晶圆进行溅射镀膜时能够提升膜厚的均匀性,提升晶圆的性能。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述扶正机构(5)包括:

3.根据权利要求2所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述同轴调节机构包括:

4.根据权利要求3所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述横爪(512)的中部开设有通槽(514),用于安装辊体(515)以及为所述竖爪(511)提供让位,所述竖爪(511)靠近所述辊体(515)的一端为斜面;

5.根据权利要求3所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,多个所述弧板(513)相互接触时能够构成一环形,所述环形贴合所述支撑轴(3)的外部。

6.根据权利要求2所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述自定位盘(53)的底部固定有锁定轴(54)。

7.根据权利要求4所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述线体(52)具有弹性伸缩性,所述容置槽(6)的一侧设置有抬升器(516),用于抬升所述底环(57)。

8.根据权利要求5所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述弧板(513)中嵌入有应变片。

9.根据权利要求1所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述可形变液(7)为水或可形变金属液。

10.一种晶圆溅射镀膜工艺,其采用如权利要求2-9所述的晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,包括如下步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述扶正机构(5)包括:

3.根据权利要求2所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述同轴调节机构包括:

4.根据权利要求3所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,所述横爪(512)的中部开设有通槽(514),用于安装辊体(515)以及为所述竖爪(511)提供让位,所述竖爪(511)靠近所述辊体(515)的一端为斜面;

5.根据权利要求3所述的一种晶圆溅射镀膜装置,其特征在于,多个所述弧板(513)相互接触时能够构成一环形,所述环形贴合所述支撑轴(3)的外部。

【专利技术属性】
技术研发人员:潘相成陈虹
申请(专利权)人:常州市好利莱光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1