一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，属于材料制备技术领域，采用原位聚合法制备复合薄膜，包括以下步骤，使用水热刻蚀法来刻蚀前驱体Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2</subgt;中的Al元素，首先以氟化铵为刻蚀剂，加入Ti<subgt;3</subgt;AlC<subgt;2</subgt;后加热，离心洗涤混合溶液后，通过抽滤和干燥得到Ti<subgt;3</subgt;C<subgt;2</subgt;T<subgt;x</subgt;材料；将对苯二胺加入砒咯烷酮中搅拌均匀，然后加入Ti<subgt;3</subgt;C<subgt;2</subgt;T<subgt;x</subgt;搅拌和超声混合均匀，分别加入不同质量的3，3'，4，4'‑苯四甲酸二酐，进行阶梯升温热酰亚胺化处理，得到Ti<subgt;3</subgt;C<subgt;2</subgt;T<subgt;x</subgt;/PI复合薄膜。制得的复合薄膜具有较高的介电常数和较低的介电损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备，特别涉及一种聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、聚酰亚胺是综合性能最佳的有机高分子材料之一，因其分子链上含有酰亚胺环(-co-nh-co-)结构，所以在工程应用领域有相当突出的性能，如优异的热稳定性，在很宽的温度范围内表现出优异的物理机械性能，并具有极高的耐辐射性和卓越的半导体性能，介电性能方面，聚酰亚胺具有较低介电常数及介电损耗，对频率依赖较小，且拥有良好的电绝缘性。聚酰亚胺的物理性质是由聚酰亚胺的化学结构所决定的，且由于含有不同类型的分子链结构和不同官能团和烃基类型，物理性质都大不相同。

2、随着当今世界电子和储能材料领域，器件不断向着小型化、集成化和高性能化稳步发展，需要提供高介电的薄膜材料来满足发展需求。但是聚酰亚胺薄膜材料较低的介电常数，限制了聚酰亚胺在储能材料领域的进一步发展。提高介电常数的方法通常为，向聚酰亚胺基体中添加改性填料与之复合，从而得到高介电的聚酰亚胺复合薄膜。但是，现阶段研究方法在聚酰亚胺基体中加入填料制备的薄膜材料，在聚酰亚胺基体中的分散性不佳，导致薄膜材料的性能受到影响。

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【技术保护点】

1.一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述S1中刻蚀处理的反应过程为：

3.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述S1中氟化铵与Ti3AlC2的质量比为5：0.5。

4.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述S2中对苯二胺和3，3'，4，4'-苯四甲酸二酐的质量比为3.1：3.4。

5.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的...

【技术特征摘要】

1.一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述s1中刻蚀处理的反应过程为：

3.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述s1中氟化铵与ti3alc2的质量比为5：0.5。

4.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述s2中对苯二胺和3，3'，4，4'-苯四甲酸二酐的质量比为3.1：3.4。

5.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述ti3c2tx粉末填料占对苯二胺和3，3'，4，4'-苯四甲酸二酐总质量的2％-10％。

6.根据权利要求1所述的一种高介电碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法，其特征在于，s3的具体过程为：将碳化钛/聚酰胺酸混合溶液第一阶段加热8min到120℃，温度稳定后保持1h；第二阶段...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建国，曹剑峰，范良迟，李轶名，张涛，王辉，杨俊翔，李国龙，蒋桂平，陈稳定，梁文波，
申请(专利权)人：西安热工研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：