一种检测电路及存储器制造技术

本公开实施例公开了一种检测电路及存储器，其中，所述检测电路包括：待检测模块，连接至少一个待检测器件，被配置为产生至少一个所述待检测器件对应的待测电压；参考模块，被配置为产生参考电压；输出模块，连接所述参考模块和所述待检测模块，被配置为接收所述待测电压和所述参考电压，并根据所述待测电压和所述参考电压的差值生成检测信号，以检测所述待检测器件的状态。这样，检测电路通过检测信号确定参考电压和待测电压的大小关系，并借此进一步确认待检测器件的状态；检测电路通过检测信号跳变来针对待检测器件的已击穿状态进行预警。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种检测电路及存储器。

技术介绍

1、在应力条件下，mos器件栅介质存在击穿风险。一般的栅介质击穿分为两种情况：高于介质击穿电场时的“瞬时击穿”；低于介质击穿电场时的“经时击穿”。随着工艺发展，mos器件的栅介质厚度不断变薄，栅介质击穿风险变大。因此，需要对存储器的栅介质击穿状态进行检测，进而实现预警功能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种检测电路及存储器，能够对栅介质击穿状态进行检测，进而实现预警功能。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供了一种检测电路，所述检测电路包括：待检测模块，连接至少一个待检测器件，被配置为产生至少一个所述待检测器件对应的待测电压；参考模块，被配置为产生参考电压；输出模块，连接所述参考模块和所述待检测模块，被配置为接收所述待测电压和所述参考电压，并根据所述待测电压和所述参考电压的差值生成检测信号，以检测所述待检测器件的状态。

4、上述方案中，所述待检测模块包括：至少一个第一探本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块包括：至少一个第一探测端和至少一个第二探测端；所述待检测器件包括：第一MOS管；

3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述待测电压包括：第一待测电压和第二待测电压；

4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块还包括：第一读取电阻；

6.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块还包括：第一读取电阻；至少一个所述第一探测端连接电源，至少一个所述第...

【技术特征摘要】

1.一种检测电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块包括：至少一个第一探测端和至少一个第二探测端；所述待检测器件包括：第一mos管；

3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述待测电压包括：第一待测电压和第二待测电压；

4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块还包括：第一读取电阻；

6.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述待检测模块还包括：第一读取电阻；至少一个所述第一探测端连接电源，至少一个所述第二探测端连接所述第一读取电阻的第一端，所述第一读取电阻的第二端接地；所述待测电压产生于所述第一读取电阻的第一端。

7.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述参考模块包括：至少一个第一参考端、至少一个第二参考端和阻抗子模块；

8.根据权利要求7所述的检测电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：