【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种样品载台、样品载台的制作方法及样品的制备方法。
技术介绍
1、apt(atom probe tomography，原子探针层析技术)是一种在原子尺度上提供三维(3d)断层扫描图像和化学识别的技术。进行apt分析时，需要将样品与样品载台相连。
2、常规技术中，由于样品载台的导电性能差，导致样品不容易蒸发，降低apt分析成功率。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种样品载台、样品载台的制作方法及样品的制作方法。
3、本公开的第一方面，提供了一种样品载台，所述样品载台包括：
4、基底；
5、保护层，设置于所述基底的顶面；；
6、样品支撑层，设置于所述保护层的顶面，所述样品支撑层包括阵列设置的多个支撑位；
7、其中，所述保护层用于降低所述基底与样品支撑层之间的肖特基势垒。
8、在一些实施例中，用于形成所述保护层的材料包括氮化钛、硅化钴或氮化钛硅。
9、在一些实施例中，所述样品载台还包括导电层，所述导电层设置于所述保护层的顶面和侧壁、所述样品支撑层的顶面和侧壁以及所述基底的侧壁和底面。
10、在一些实施例中，所述导电层和/或所述样品支撑层的材料包括钨、铂或金；
11、和/或，
12、所述样品支撑层包括多行所述支撑位和多列所述支撑位，相邻的两行
13、间隔设置的两行所述支撑位位于同一列。
14、在一些实施例中，所述样品载台还包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述导电层的顶面并位于所述样品载台的边缘，所述第一凹槽贯穿所述导电层和所述保护层延伸至所述基底中；
15、所述第二凹槽设置于所述基底的底面并位于所述样品载台的边缘；
16、沿所述基底的厚度方向，所述第一凹槽和所述第二凹槽对应设置。
17、本公开的第二方面，提供了一种样品载台的制作方法，所述制作方法包括：
18、提供基底；
19、于所述基底的顶面形成保护层；
20、于所述保护层的顶面形成样品支撑层，所述样品支撑层包括阵列设置的多个支撑位；
21、其中，所述保护层用于降低所述基底与所述样品支撑层之间的肖特基势垒。
22、在一些实施例中，用于形成所述保护层的材料包括氮化钛、硅化钴或氮化钛硅。
23、在一些实施例中，于所述保护层的顶面形成样品支撑层，包括：
24、于所述保护层的顶面形成初始支撑层；
25、于所述初始支撑层的顶面形成掩膜层；
26、于所述掩膜层的顶面形成遮罩层，所述遮罩层上形成预设图案用于定义所述支撑位的位置和形状；
27、依次对所述掩膜层和所述初始支撑层进行刻蚀，将所述预设图案转移至所述初始支撑层，形成所述样品支撑层。
28、在一些实施例中，所述初始支撑层的厚度为9.5至10.5微米。
29、在一些实施例中，所述初始支撑层的材料包括钨、铂或金。
30、在一些实施例中，提供基底，包括：
31、提供初始基底；
32、去除所述初始基底的表面的氧化层，形成所述基底。
33、在一些实施例中，所述制作方法还包括：
34、于所述保护层的顶面和侧壁、所述样品支撑层的顶面和侧壁以及所述基底的侧壁和底面形成导电层。
35、在一些实施例中，所述导电层的材料包括钨、铂或金。
36、在一些实施例中，所述制作方法还包括：
37、于样品载台的顶面的边缘形成第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述导电层和所述保护层延伸至所述基底中；
38、于样品载台的底面的边缘形成第二凹槽，沿所述基底的厚度方向，所述第一凹槽和所述第二凹槽对应设置。
39、本公开的第三方面，提供了一种样品制备方法，所述样品的制备方法包括：
40、提供如第二方面所述的样品载台；
41、提取方形样品；
42、将所述方形样品焊接于所述样品载台的所述支撑位；
43、对所述方形样品进行环切，获得圆锥状样品。
44、本公开提供的样品载台中，通过在基底上形成保护层，保护层能够降低样品载台中基底与样品支撑层之间的肖特基势垒，提升样品载台的导电性能，使得样品载台上的样品更容易处于待电离状态，由于待电离状态的样品更容易蒸发，从而提高分析成功率。
45、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种样品载台，其特征在于，所述样品载台包括：
2.根据权利要求1所述的样品载台，其特征在于，用于形成所述保护层的材料包括氮化钛、硅化钴或氮化钛硅。
3.根据权利要求1所述的样品载台，其特征在于，所述样品载台还包括导电层，所述导电层设置于所述保护层的顶面和侧壁、所述样品支撑层的顶面和侧壁以及所述基底的侧壁和底面。
4.根据权利要求3所述的样品载台，其特征在于，所述导电层和/或所述样品支撑层的材料包括钨、铂或金；
5.根据权利要求3所述的样品载台，其特征在于，所述样品载台还包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述导电层的顶面并位于所述样品载台的边缘，所述第一凹槽贯穿所述导电层和所述保护层延伸至所述基底中；
6.一种样品载台的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
7.根据权利要求6所述的样品载台的制作方法，其特征在于，用于形成所述保护层的材料包括氮化钛、硅化钴或氮化钛硅。
8.根据权利要求6所述的样品载台的制作方法，其特征在于，于所述保护层的顶面形成样品支撑层，包括：
9.根据
10.根据权利要求8所述的样品载台的制作方法，其特征在于，所述初始支撑层的材料包括钨、铂或金。
11.根据权利要求6所述的样品载台的制作方法，其特征在于，提供基底，包括：
12.根据权利要求6-11任一项所述的样品载台的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
13.根据权利要求12所述的样品载台的制作方法，其特征在于，所述导电层的材料包括钨、铂或金。
14.根据权利要求12所述的样品载台的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
15.一种样品制备方法，其特征在于，所述样品的制备方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种样品载台，其特征在于，所述样品载台包括：
2.根据权利要求1所述的样品载台，其特征在于，用于形成所述保护层的材料包括氮化钛、硅化钴或氮化钛硅。
3.根据权利要求1所述的样品载台，其特征在于，所述样品载台还包括导电层，所述导电层设置于所述保护层的顶面和侧壁、所述样品支撑层的顶面和侧壁以及所述基底的侧壁和底面。
4.根据权利要求3所述的样品载台，其特征在于，所述导电层和/或所述样品支撑层的材料包括钨、铂或金；
5.根据权利要求3所述的样品载台，其特征在于，所述样品载台还包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述导电层的顶面并位于所述样品载台的边缘，所述第一凹槽贯穿所述导电层和所述保护层延伸至所述基底中；
6.一种样品载台的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
7.根据权利要求6所述的样品载台的制作方法，其特征在于，用于形成所述保护层的材...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐高峰，丁怡萱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。