瞬态电压吸收元件制造技术

瞬态电压吸收元件(11)具备半导体基板(Sub)、形成在该半导体基板(Sub)的表面的外延层(Epi)、形成在该外延层(Epi)的p+区域及n+区域、形成于半导体基板(Sub)的埋入层(BL)、以及沟槽(TR)。由外延层(Epi)、p+区域及n+区域构成分别包括它们的多个二极管，沟槽(TR)从外延层(Epi)的表面侧到达埋入层(BL)而将二极管之间分离，埋入层(BL)的杂质浓度比半导体基板(Sub)高，且在相邻的二极管之间分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及吸收由esd(静电放电)等引起的瞬态的异常电压、雷电浪涌、开关浪涌等浪涌的瞬态电压吸收元件。

技术介绍

1、通常，在传输线路与接地之间插入瞬态电压吸收元件时，原本应传输的高频信号通过瞬态电压吸收元件的杂散电容而向接地泄漏。即，传输线路的传输特性变差。

2、在专利文献1中公开了一种低电容半导体元件装置，该低电容半导体元件装置即便在使低电容pn二极管的面积缩小而降低了元件电容的情况下，也抑制了由表面电极产生的寄生电容的增大。

3、图11是专利文献1所公开的瞬态电压吸收元件的剖视图。图11所表示的瞬态电压吸收元件具备半导体基板401、埋入层402、外延层403、沟槽404、沟槽407、氧化膜410、第一扩散层405、第二扩散层406及表面电极414。

4、沟槽404到达埋入层402。第一扩散层405形成在外延层403的形成有埋入层402的面的相反面。第二扩散层406形成在外延层403的表面。沟槽407形成为包围第二扩散层406。在外延层403的表面上，形成有与第一扩散层405及第二扩散层406连接的表面电极414本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种瞬态电压吸收元件，具备：

2.根据权利要求1所述的瞬态电压吸收元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的瞬态电压吸收元件，其中，

4.根据权利要求3所述的瞬态电压吸收元件，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的瞬态电压吸收元件，其中，

6.根据权利要求5所述的瞬态电压吸收元件，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种瞬态电压吸收元件，具备：

2.根据权利要求1所述的瞬态电压吸收元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的瞬态电压吸收元件，其中，

4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：大原达也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：