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瞬态电压吸收元件(11)具备半导体基板(Sub)、形成在该半导体基板(Sub)的表面的外延层(Epi)、形成在该外延层(Epi)的p+区域及n+区域、形成于半导体基板(Sub)的埋入层(BL)、以及沟槽(TR)。由外延层(Epi)、p+区域...
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