【技术实现步骤摘要】
本揭露与存储器技术相关。本揭露特别相关于存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、随着科技进步，发展出各种不同的存储器装置。在一些相关方式中，于为着读取存储器装置的读取程序中，由于位元线电压上升使得记忆胞电流快速下降，因此造成较慢的读取速度。
技术实现思路
1、本揭露的部分层面关联于一种存储器装置。存储器装置包含记忆胞阵列以及感测放大器电路。记忆胞阵列用以输出记忆胞电流。感测放大器电路与记忆胞阵列耦接以接收记忆胞电流。感测放大器电路包含运算放大器。运算放大器包含第一输入端、第二输入端和输出端。运算放大器用以在发展模式中根据记忆胞电流通过第一电容将在第一输入端的电压上拉至第一电压，并在发展模式之后的升压模式中通过第一电容和第二电容将在第一输入端的电压上拉至高于第一电压的第二电压。输出端用以根据在第一输入端的电压和在第二输入端的参考电压输出数据。
2、在一些实施例中，感测放大器电路还包含：控制电路，包含第一电容和第二电容，并且控制电路还包含：第一开关，其中第一开关的第一端耦接第一输入...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该感测放大器电路还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该第二电容的电容值大于该第一电容的电容值。
4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含耦接在该记忆胞阵列与该第一输入端之间的第三开关，其中在该发展模式与该升压模式之间的隔离模式中，该第一开关、该第二开关、该第三开关和该第一晶体管被关断。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中在该发展模式中该...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该感测放大器电路还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该第二电容的电容值大于该第一电容的电容值。
4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含耦接在该记忆胞阵列与该第一输入端之间的第三开关，其中在该发展模式与该升压模式之间的隔离模式中，该第一开关、该第二开关、该第三开关和该第一晶体管被关断。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中在该发展模式中该第三开关导通，而在该升压模式中该第三开关关断。
7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中在该升压模式中第二开关导通，而该第一开关和该第一晶体管关断。
8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该记忆胞阵列通过经...
【专利技术属性】
技术研发人员：张家福，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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