【技术实现步骤摘要】
本专利技术的多种实施例涉及存储器。
技术介绍
1、随着存储器的集成度提高，存储器中包括的多个字线之间的间隔减小。随着字线之间的间隔减小，相邻字线之间的耦合效应增强。
2、每当向存储单元输入或从其输出数据时，字线在激活的状态和被去激活的状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增强，耦接到与频繁地被激活的字线相邻地设置的字线的存储单元中的数据可能被损坏。这个现象被称为行锤击(或字线干扰)。存储单元的数据可能由于字线干扰而在该存储单元被刷新之前就被损坏。
3、图1是用于描述行锤击的示意图。图1示出了存储器件中包括的单元阵列的一部分。
4、在图1中，wll可以对应于具有大的激活数量的字线(即频繁地被激活的字线)，而wll-1和wll+1可以是与wll相邻地设置的字线(即相邻字线)，即与具有大的激活数量的字线相邻地设置的字线。此外，cl可以表示被耦接到wll的存储单元，cl-1可以表示被耦接到wll-1的存储单元，而cl+1可以表示被耦接到wll+1的存储单元。存储单元可以分别包括单元晶体管tl、tl-1和tl...
【技术保护点】
1.一种存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器，其中：
4.根据权利要求1所述的存储器，其中：
5.根据权利要求1所述的存储器，其中：
6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述刷新操作包括用于消除行锤击的智能刷新操作、自动刷新操作和自刷新操作中的至少一个操作。
7.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述行电路包括：
8.一种用于操作存储器的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，
10.根据权利要求8所述的方
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【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器，其中：
4.根据权利要求1所述的存储器，其中：
5.根据权利要求1所述的存储器，其中：
6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述刷新操作包括用于消除行锤击的智能刷新操作、自动刷新操作和自刷新操作中的至少一个操作。
7.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述行电路包括：
8.一种用于操作存储器的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，
10.根据权利要求8所述的方法，
11.根据权利要求8所述的方法，
12.根据权利要求8所述的方法，
13.根据权利要求8所述的方法，其中，确定执行所述刷新操作包括接收刷...
【专利技术属性】
技术研发人员：具尚铉，金度鸿，石珉浩，洪德和，金沼润，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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