控制电路及存储器制造技术

本公开涉及一种控制电路及存储器。控制电路包括：时序控制模块，用于接收行控制命令和第一读/写操作指令，并响应于第一读/写操作指令，基于行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令；读写控制模块，用于接收模式信号、第一读/写操作指令和第二读/写操作指令，基于模式信号的控制选择第一读/写操作指令或第二读/写操作指令，并根据选择的第一读/写操作指令控制执行对应的第一读/写操作，或根据选择的第二读/写操作指令控制执行对应的第二读/写操作。本公开可以确保测试的准确性，在测试到有存储单元失效时，可以准确筛选出存在制造缺陷的位置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路领域，特别是涉及一种控制电路、方法及存储器。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由多个呈多行多列的存储单元及多个呈多行多列的灵敏放大器组成。现有的一种存储器如图1所示，若干行存储单元和一行灵敏放大器构成一个存储区域，存储器包括存储器阵列(未标示出)、行控制电路2’和列一码电路3’，存储器阵列包括多个存储区域1，行控制电路2’和列一码电路3’均与全部存储区域相连接。图1中以存储器中包括64各存储区域作为示例。

2、图1中行控制电路2’向各存储区域输出图2中的array(存储器阵列)位置sa(灵敏放大器)开启时间信号以打开对应的灵敏放大器对存储单元的数据进行放大，由于行控制电路2’位于存储阵列的顶部附近，其产生的array位置sa开启时间信号自存储器阵列的存储区域1向存储区域64方向传输(自上向下传输)，array位置sa开启时间信号到达存储区域1的时间为图2中array位置sa开启时间的t1’时刻，array位置sa开启时间信号到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述行控制命令包括灵敏放大器开启指令及对应的行地址，所述基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令，包括：基于所述行控制命令中的行地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿，并基于时序偏差补偿调整后的灵敏放大器开启指令生成所述第二读/写操作指令。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第一读/写操作指令有效时，基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成所述第二读/写操作指令，所述第一读/写操作指令无效时，不生成所述第二读/写操作指令。

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【技术特征摘要】

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述行控制命令包括灵敏放大器开启指令及对应的行地址，所述基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令，包括：基于所述行控制命令中的行地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿，并基于时序偏差补偿调整后的灵敏放大器开启指令生成所述第二读/写操作指令。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第一读/写操作指令有效时，基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成所述第二读/写操作指令，所述第一读/写操作指令无效时，不生成所述第二读/写操作指令。

4.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述时序控制模块包括：

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述时序控制模块还用于接收所述第一读/写操作指令对应的列地址，在所述第一读/写操作指令的控制下，基于所述行地址和所述列地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿。

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述时序控制模块包括：

8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚为兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

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