【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管。
技术介绍
1、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)是一种特殊类型的场效应晶体管，它是通过在称为基板的柔性材料上简单地沉积有源半导体薄膜、介电层和栅电极层而制成的。
2、图1示出了现有技术中的薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，薄膜晶体管包括使用不同材料制成的不同层，其中每一层使用的材料特点如下：
3、第一层是栅电极，根据应用场景栅电极可以由铝、金或铬制成。栅电极向薄膜半导体提供信号，触发源极和漏极之间的接触。
4、第二层是绝缘体，用于避免半导体层和栅电极之间的电短路。
5、第三层是半导体层，包括由源极和漏极组成的电极层和由半导体材料制成的沟道区。
6、在图1所示的薄膜晶体管中，晶体管的源极、漏极和沟道在水平方向排布，又称为水平沟道晶体管或平面晶体管。在图1中，薄膜晶体管的沟道长度为f，f的尺寸一般在百纳米左右，如果在平面实现这种级别的沟道长度需要光刻的精度也要达到了这个级别，...
【技术保护点】
1.一种垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第一金属层或第三金属层包括：
3.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第一介质层或第二介质层包括：
4.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第二金属层包括：
5.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过沉积技术形成沟道层包括：
6.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备...
【技术特征摘要】
1.一种垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第一金属层或第三金属层包括：
3.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第一介质层或第二介质层包括：
4.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，通过沉积技术形成第二金属层包括：
5.根据权利要求1所述的垂直双栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过沉积技术形成沟道层包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠华，廖福锡，李泠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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