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一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管技术
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下载一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管的技术资料
文档序号:41357109
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本发明涉及一种垂直双栅晶体管的制备方法及垂直双栅晶体管,属于半导体技术领域,解决了现有技术中的薄膜晶体管制造成本高的问题。该垂直双栅晶体管的制备方法包括如下步骤:依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层的叠层,其中...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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