【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种晶体管封装装置。
技术介绍
1、半导体封装过程简单来讲就是将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：把晶圆切割后的芯片焊接到基板架(引线框架)上，再通过超细的金属导线将晶圆与基板架的相应引脚(lead)连接，以构成电路，再用塑封壳加以封装保护。封装可以起到保护芯片、机械支撑、增强其电热性能的作用。
2、目前主流的封装工艺为传统打线式封装。主要的缺点为：为了预留金属键合线及有机硅凝胶所需空间，芯片与顶部塑封壳间距离较大，最终封装出来的成品比晶圆本身所占用空间要大很多，不利于小尺寸应用。打线(wire bonding)是指使用金属丝利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电路内部的互联接线，即芯片与电路或引线框架的连接。打线过程要求所有的连线必须沿回绕方向排列，在连线过程中要不断改变芯片与封装基板的位置再进行下一根引线的键合，因此打线速度受限制。打线键合会在连接点引入更高的可靠性风险并且影响加工生产速度。
3、有鉴于此，有必要提出一种晶体管封装装置以解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种晶体管封装装置，用以改善现有的晶体管封装尺寸大、可靠性风险高、影响加工生产速度的问题。
2、本技术提供了一种晶体管封装装置，包括：芯片、引线框架、封装壳、导电金属片以及导电粘结剂层。所述芯片的底面设于所述引线框架的顶面，所述封装壳的底面形成有与所述芯片和所述引线框架相适配的安装槽，以容置所述芯
3、在一种可能的实施例中，所述芯片包括栅极区和源极区，所述导电金属片包括栅极导电片区和源极导电片区，所述导电粘结剂层包括栅极粘结区和源极粘结区。所述栅极导电片区对应所述栅极区和所述引线框架的栅极引脚设置，所述栅极区通过所述栅极粘结区粘贴固定于所述栅极导电片区上，所述引线框架的栅极引脚与所述栅极导电片区电接触。所述源极导电片区对应所述源极区和所述引线框架的源极引脚设置，所述源极区通过所述源极粘结区粘贴固定于所述源极导电片区上，所述引线框架的源极引脚与所述源极导电片区电接触。
4、在一种可能的实施例中，所述栅极导电片区包括栅极导电部和栅极延伸部，所述栅极导电部和所述栅极区通过所述栅极粘结区粘贴固定，所述栅极延伸部一端连接于所述栅极导电部，另一端与所述栅极引脚电接触。所述源极导电片区包括源极导电部和源极延伸部，所述源极导电部和所述源极区通过所述源极粘结区粘贴固定，所述源极延伸部一端连接于所述源极导电部，另一端与所述源极引脚电接触。
5、在一种可能的实施例中，所述栅极导电部和所述源极导电部间形成有间隔区，所述栅极粘结区和所述源极粘结区间对应所述间隔区形成有绝缘区。
6、在一种可能的实施例中，所述栅极延伸部呈弯折状且包括相连接的第一连接段和第二连接段，所述第一连接段与所述栅极区的端面相贴，所述第二连接段与所述引线框架的顶面相贴且所述第二连接段与所述栅极引脚电接触；和/或，所述源极延伸部呈弯折状且包括相连接的第三连接段和第四连接段，所述第三连接段与所述源极区的端面相贴，所述第四连接段与所述引线框架的顶面相贴且所述第四连接段与所述源极引脚电接触。
7、在一种可能的实施例中，所述栅极延伸部的宽度小于所述栅极导电部的宽度；和/或，所述源极延伸部的宽度小于所述源极导电部的宽度。
8、在一种可能的实施例中，所述安装槽包括第一槽部、第二槽部、第三槽部、第四槽部以及第五槽部。所述第一槽部用于容置所述芯片、所述导电粘结剂层以及所述导电金属片，所述第二槽部与所述第一槽部连通且用于容置所述引线框架。所述第三槽部与所述第二槽部连通且用于容置所述引线框架的栅极引脚，所述第四槽部与所述第二槽部连通且用于容置所述引线框架的源极引脚，所述第五槽部与所述第二槽部连通且用于容置所述引线框架的漏极引脚。
9、在一种可能的实施例中，所述引线框架的栅极引脚和源极引脚位于所述引线框架的一端且与所述引线框架的顶面平齐；和/或，所述引线框架的漏极引脚位于所述引线框架的另一端且与所述引线框架的底面平齐。
10、在一种可能的实施例中，所述引线框架的底面与所述封装壳的底面位于同一平面。
11、在一种可能的实施例中，所述导电粘结剂层为导电胶。
12、本技术提供的晶体管封装装置的有益效果在于：所述芯片通过所述导电粘结剂层粘贴固定于所述导电金属片上，所述引线框架的引脚与所述导电金属片电接触，利用所述导电金属片和所述导电粘结剂层实现所述芯片与所述引线框架的相应引脚连接。因所述导电金属片的厚度和所述导电粘结剂层的厚度较薄，占用空间较小，键合平面低，使器件薄化，有利于小尺寸应用场景。另外，删减打线工艺有助于提高生产速度，并降低了打线引入的可靠性风险。
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1.一种晶体管封装装置，其特征在于，包括：芯片、引线框架、封装壳、导电金属片以及导电粘结剂层；
2.根据权利要求1所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述芯片包括栅极区和源极区；
3.根据权利要求2所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极导电片区包括栅极导电部和栅极延伸部，所述栅极导电部和所述栅极区通过所述栅极粘结区粘贴固定，所述栅极延伸部一端连接于所述栅极导电部，另一端与所述栅极引脚电接触；
4.根据权利要求3所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极导电部和所述源极导电部间形成有间隔区；
5.根据权利要求3所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极延伸部呈弯折状且包括相连接的第一连接段和第二连接段，所述第一连接段与所述栅极区的端面相贴，所述第二连接段与所述引线框架的顶面相贴且所述第二连接段与所述栅极引脚电接触；和/或，
6.根据权利要求3所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极延伸部的宽度小于所述栅极导电部的宽度；和/或，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述安装槽包括第
8.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述引线框架的栅极引脚和源极引脚位于所述引线框架的一端且与所述引线框架的顶面平齐；和/或，
9.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述引线框架的底面与所述封装壳的底面位于同一平面。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述导电粘结剂层为导电胶。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管封装装置，其特征在于，包括：芯片、引线框架、封装壳、导电金属片以及导电粘结剂层；
2.根据权利要求1所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述芯片包括栅极区和源极区；
3.根据权利要求2所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极导电片区包括栅极导电部和栅极延伸部，所述栅极导电部和所述栅极区通过所述栅极粘结区粘贴固定，所述栅极延伸部一端连接于所述栅极导电部，另一端与所述栅极引脚电接触；
4.根据权利要求3所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极导电部和所述源极导电部间形成有间隔区；
5.根据权利要求3所述的晶体管封装装置，其特征在于，所述栅极延伸部呈弯折状且包括相连接的第一连接段和第二连接段，所述第一连接段与所述栅极区的端面相贴，所述第二连接段与所述引线框架...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋洁琼，胡振世，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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