【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体存储结构可以被分类为易失性存储器设备(其中所存储的数据在电力供应中断时消失，诸如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram))，或者非易失性存储器设备(其中所存储的数据即使在电力供应中断时也会被保留，诸如闪存设备、相变ram(phase-changeram，pram)、磁ram(magnetic ram，mram)、电阻型ram(resistive ram，rram)或铁电ram(ferroelectric ram，fram))。
2、dram包括存储器单元，所述存储器单元与字线连接。在dram的读取操作或写入操作中，当高电压被施加到所选字线时，所选字线被使能，实现对存储器单元的读取和写入操作。然而，在dram的阵列区域与外围区域的接触区域，字线与导电接触结构之间可能存在断路问题，易造成dram失效，降低了dram
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的顶面与所述第三部分的顶面齐平。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括金属导电层和多晶硅层，所述多晶硅层位于所述金属导电层上方，所述字线的第二部分不包括所述多晶硅层。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括设置在所述接触区域的导电接触结构，所述导电接触结构与所述第二部分电连接，且所述导电接触结构在所述衬底表面上的正投影，位于所述第二部分在所述衬底表面上的正投影的内部。
5.如...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分的顶面与所述第三部分的顶面齐平。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括金属导电层和多晶硅层，所述多晶硅层位于所述金属导电层上方，所述字线的第二部分不包括所述多晶硅层。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括设置在所述接触区域的导电接触结构，所述导电接触结构与所述第二部分电连接，且所述导电接触结构在所述衬底表面上的正投影，位于所述第二部分在所述衬底表面上的正投影的内部。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括多条沿第一方向延伸的所述字线，多条所述字线在第二方向上间隔排布，所述第一方向和所述第二方向相交，且均平行于所述衬底的表面；沿所述第二方向，相邻的所述字线的第二部分的顶面高度不同。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向，相邻的两条所述字线中仅有一条所述字线的第二部分包括所述多晶硅层。
7.如权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括设置在所述接触区域的导电接触结构，所述导电接触结构与所述第二部分电连接，所述导电接触结构在第一方向上的尺寸与所述第二部分的尺寸相同，所述导电接触结构在第二方向上的尺寸大于所述第二部分的尺寸。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分和所述第三部分均包括金属导电层和多晶硅层，所述第二部分包括金属导电层；所述第一部分的所述多晶硅层的顶面以及所述第三部分的所述多晶硅层的顶面，均低于所述第二部分的所述金属导电层的顶面。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的所述金属导电层的顶面低于所述衬底的表面。
10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的所述金属导电层的顶面与所述衬底的表面齐平。
11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底内形成所述字线，包括：在所述衬底内形成沿第一方向延伸的沟槽，在所述沟槽内形成金属导电层和多晶硅层，所述多晶硅层位于所述金属导电层上方；
13.如权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底内形成沿所述第一方向延伸的沟槽，包括：在所述衬底内形成多条沿第二方向间隔排布的所述沟槽，所述第一方向和所述第二方向相交，...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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