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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:41339093
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本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:衬底,衬底包括阵列区域、外围区域及位于阵列区域与外围区域之间的接触区域;字线,字线延伸穿过阵列区域和接触区域至外围区域,字线包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分位于阵列区域,...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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