复合材料、组合物及其制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种复合材料、组合物及其制备方法、发光器件及显示装置，复合材料包括无机粒子和添加剂，所述添加剂包括噻吨酮及噻吨酮衍生物中的至少一种。本申请公开的复合材料中，噻吨酮及其衍生物不仅能够捕捉高能电子，大幅度削减高能电子的动能、减少高能电子数量，从而抑制高能电子对无机粒子的破坏，而且能够接枝到无机粒子表面，削弱无机粒子俘获电荷的陷阱作用，降低电子注入效率，提高无机粒子的稳定性，同时，也可以对无机粒子进行表面改性，提高其分散性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种复合材料、组合物及其制备方法、发光器件及显示装置。

技术介绍

1、发光器件通过电子与空穴复合释放能量发光，是一种常用的发光器件，在照明领域应用广泛。发光器件具有阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的载流子功能层和发光层。

2、作为制备载流子功能层的主要材料，无机粒子的表面存在大量缺陷，使得无机粒子在强电场环境中稳定性较差，从而降低器件的稳定性。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种复合材料、组合物及其制备方法、发光器件及显示装置，本申请旨在解决现有无机粒子在强电场环境中稳定性较差的问题。

2、本申请实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请提供一种复合材料，包括无机粒子和添加剂，所述添加剂包括噻吨酮及噻吨酮衍生物中的至少一种。

4、在一些实施例中，所述噻吨酮衍生物包括2-羧基甲氧基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基-9h-噻吨-9-酮、2-羟基-9h-噻吨-9-酮、1-甲氧基噻吨酮-9-酮及异丙基-9h-噻吨-9-酮中的至少一种。...

【技术保护点】

1.一种复合材料，其特征在于，包括无机粒子和添加剂，所述添加剂包括噻吨酮及噻吨酮衍生物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述噻吨酮衍生物包括2-羧基甲氧基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基-9H-噻吨-9-酮、2-羟基-9H-噻吨-9-酮、1-甲氧基噻吨酮-9-酮及异丙基-9H-噻吨-9-酮中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子和所述添加剂的重量比为30～60:1；和/或，

4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子选自N型无机半导体粒子，所述N型无机半导体粒子选自金属氧化物、掺杂...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料，其特征在于，包括无机粒子和添加剂，所述添加剂包括噻吨酮及噻吨酮衍生物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述噻吨酮衍生物包括2-羧基甲氧基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基-9h-噻吨-9-酮、2-羟基-9h-噻吨-9-酮、1-甲氧基噻吨酮-9-酮及异丙基-9h-噻吨-9-酮中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子和所述添加剂的重量比为30～60:1；和/或，

4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子选自n型无机半导体粒子，所述n型无机半导体粒子选自金属氧化物、掺杂金属氧化物、iia-via族半导体材料、iiia-va族半导体材料及ib-iiia-via族半导体材料中的至少一种，所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、ga2o3、al2o3中的一种或几种，所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2中的至少一种，掺杂元素包括al、mg、li、in、ga中的至少一种，所述iia-via族半导体材料包括zns、znse、cds中的至少一种，所述iiia-va族半导体材料包括inp、gap中的至少一种，所述ib-iiia-via族半导体材料包括cuins、cugas中的至少一种；或者，

5.一种组合物，其特征在于，包括溶剂和如权利要求1至4任一项所述的复合材料。

6.根据权利要求5所述的组合物，其特征在于，所述溶剂包括乙醇、丙醇、丁醇、异丙醇、正丁醇中的至少一种；和/或，

7.一种组合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的组合物的制备方法，其特征在于，所述噻吨酮衍生物包括2-羧基甲氧基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基-9h-噻吨-9-酮、2-羟基-9h-噻吨-9-酮、1-甲氧基噻吨酮-9-酮及异丙基-9h-噻吨-9-酮中的至少一种；和/或，

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：田鹍飞，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：