【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体材料加工,具体为半导体材料氧化处理设备。
技术介绍
1、半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mω·cm~1gω·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料;
2、经检索,公开了公开号为cn218004821u的一种设有送热风机构的半导体材料氧化处理设备,该技术虽然在一定的程度上,满足了使用者的使用需求,但在使用过程中仍存在一定的缺陷,如现有的半导体材料氧化设备在对半导体材料加热吹风时,无法对半导体材料进行全面均匀的吹风,影响半导体材料的氧化效果,而且无法对半导体材料进行快速的固定,影响氧化。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供半导体材料氧化处理设备,以解决
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:半导体材料氧化处理设备,包括氧化箱,所述氧化箱的下端固定安装有支撑块,所述支撑块的下端安装有支撑座,所述氧化箱的内部固定安装有固定栅板,所述氧化箱的内部活动安装有活动栅板,所述氧化箱内部的两侧均固定安装有加热丝,所述氧化箱内部的两端均固定安装有机架,所述机架的一侧安装有电机,所述电机的输出端贯穿机架安装有吹风扇叶,所述氧化箱的两端均设置有凹槽,所述凹槽内壁的两侧均开设有散热槽。
3、优选的,所述氧化箱的一侧设置有活动箱门,所述活动箱门位于固定栅板的一侧。
4、优选的,所述氧化箱内壁的两侧均开设有安装槽,所述安装槽位于固定栅板上方的两侧呈对称分布。<
...【技术保护点】
1.半导体材料氧化处理设备,包括氧化箱(1),所述氧化箱(1)的下端固定安装有支撑块(3),所述支撑块(3)的下端安装有支撑座(4),其特征在于:所述氧化箱(1)的内部固定安装有固定栅板(14),所述氧化箱(1)的内部活动安装有活动栅板(13),所述氧化箱(1)内部的两侧均固定安装有加热丝(12),所述氧化箱(1)内部的两端均固定安装有机架(10),所述机架(10)的一侧安装有电机(11),所述电机(11)的输出端贯穿机架(10)安装有吹风扇叶,所述氧化箱(1)的两端均设置有凹槽(7),所述凹槽(7)内壁的两侧均开设有散热槽(9)。
2.根据权利要求1所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)的一侧设置有活动箱门(2),所述活动箱门(2)位于固定栅板(14)的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)内壁的两侧均开设有安装槽,所述安装槽位于固定栅板(14)上方的两侧呈对称分布。
4.根据权利要求3所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述安装槽的内部活动穿插有调节螺杆(15),所述调
5.根据权利要求4所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述活动栅板(13)的两侧均固定安装有移动块(16),所述移动块(16)活动穿插在安装槽的内部,所述移动块(16)的表面开设有螺纹孔,所述调节螺杆(15)活动穿插在螺纹孔的内部,且与调节螺杆(15)螺纹连接。
6.根据权利要求5所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)的上端活动安装有转动齿环(5),所述转动齿环(5)与传动齿轮(6)相啮合,所述转动齿环(5)的外侧设置有转动凸块。
7.根据权利要求6所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)的上端固定安装有环形轨,所述转动齿环(5)的下端开设有环形槽,所述环形轨活动穿插在环形轨的内部。
8.根据权利要求1所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述凹槽(7)的内部固定安装有安装螺块(19),所述安装螺块(19)的表面套设有防尘网罩(8),所述安装螺块(19)的表面套设有螺纹压套(20),所述防尘网罩(8)的下端与凹槽(7)内部的下端分别设置有第一磁环(17)和第二磁环(18),所述第一磁环(17)和第二磁环(18)磁性连接。
...【技术特征摘要】
1.半导体材料氧化处理设备,包括氧化箱(1),所述氧化箱(1)的下端固定安装有支撑块(3),所述支撑块(3)的下端安装有支撑座(4),其特征在于:所述氧化箱(1)的内部固定安装有固定栅板(14),所述氧化箱(1)的内部活动安装有活动栅板(13),所述氧化箱(1)内部的两侧均固定安装有加热丝(12),所述氧化箱(1)内部的两端均固定安装有机架(10),所述机架(10)的一侧安装有电机(11),所述电机(11)的输出端贯穿机架(10)安装有吹风扇叶,所述氧化箱(1)的两端均设置有凹槽(7),所述凹槽(7)内壁的两侧均开设有散热槽(9)。
2.根据权利要求1所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)的一侧设置有活动箱门(2),所述活动箱门(2)位于固定栅板(14)的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述氧化箱(1)内壁的两侧均开设有安装槽,所述安装槽位于固定栅板(14)上方的两侧呈对称分布。
4.根据权利要求3所述的半导体材料氧化处理设备,其特征在于:所述安装槽的内部活动穿插有调节螺杆(15),所述调节螺杆(15)的上端活动穿插在氧化箱(1)的外侧,且该端固定...
【专利技术属性】
技术研发人员:李郁,
申请(专利权)人:陕西振安臻达电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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