【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅光集成芯片耦合，尤其涉及一种硅基光波导边缘耦合结构。
技术介绍
1、光耦合器是硅基光电子集成系统中关键的光学元器件，用于解决光纤/激光器与硅光集成芯片的耦合问题。通常硅光集成芯片的光耦合方式分为两种：垂直耦合和对接耦合，其中对接耦合方式通常使用边缘耦合器，光纤中心被放置与硅光芯片中硅波导齐平的位置。
2、常规的硅基边缘耦合器，为了满足与单模光纤相位匹配条件，需要将硅尖端做的足够小。然而较小尺寸的硅波导尖端有着极高发生双光子吸收的概率，尤其是在高强度激光场中，激光光子的密度很高，使得两个光子几乎同时到达原子的概率大大增加。因此目前常规的硅基边缘耦合器不支持高功率光源，当处于高强度激光场中时，极易出现烧坏、硅波导形变等情况。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅基光波导边缘耦合结构。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用...
【技术保护点】
1.一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；
2.根据权利要求1所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，还包括：二氧化硅波导层，所述硅波导位于所述二氧化硅波导层内；
3.根据权利要求2所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，还包括：硅衬底；所述硅衬底在与所述二氧化硅波导层相接的一侧且对应所述悬臂梁区的位置处挖空以形成空置槽。
4.根据权利要求2所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，所述硅波导为锥形波导，且所述硅波导由所述二氧化硅波导层的非悬臂梁区延伸布置至所...
【技术特征摘要】
1.一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；
2.根据权利要求1所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，还包括：二氧化硅波导层，所述硅波导位于所述二氧化硅波导层内；
3.根据权利要求2所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，还包括：硅衬底；所述硅衬底在与所述二氧化硅波导层相接的一侧且对应所述悬臂梁区的位置处挖空以形成空置槽。
4.根据权利要求2所述的一种硅基光波导边缘耦合结构，其特征在于，所述硅波导为锥形波导，且所述硅波导由所述二氧化硅波导层的非悬臂梁区延伸布置至所述悬臂梁区并与...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚东，陈艳秋，蔡鹏飞，
申请(专利权)人：NANO科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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