发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法技术

本申请涉及发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法。其中发光芯片外延层包括：N型层，生长于N型层之上的异质结插入层，生长于异质结插入层之上的量子阱层，生长于量子阱层之上的P型层。其中异质结插入层包括沿生长方向依次生长的应力失配层和势阱层，应力失配层和势阱层之间的应力失配使得位错弯曲并在界面处彼此泯灭。可实现降低穿透位错，而电子在电流作用下运动过程中，能够通过异质结结构界面将电流有效的横向扩展，降低了漏电通道，减少外延缺陷延伸，提高了发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法。

技术介绍

1、随着发光芯片技术的成熟，可预见的将会带来更大规模的增长。尺寸逐渐变小的发光芯片将会给显示行业带来革命性的改变，在对比度、功耗、分辨率、亮度和寿命等方面带来大幅提升。

2、而相关技术中发光芯片中的外延层内部存在缺陷密度高，小电流密度下光效低技术问题，限制着尺寸逐渐变小的发光芯片的发展。

3、因此，外延层内部存在缺陷密度高，小电流密度下光效低是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法，旨在解决外延层内部存在缺陷密度高，小电流密度下光效低的技术问题。

2、一种发光芯片外延层，包括：

3、n型层；

4、生长于所述n型层之上的异质结插入层，所述异质结插入层包括沿生长方向依次生长的应力失配层和势阱层，所述应力失配层和所述势阱层之间的应力失配使得位错弯曲并在界面处彼此泯灭；

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【技术保护点】

1.一种发光芯片外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述异质结插入层还包括势垒层，所述势垒层位于所述N型层和所述应力失配层之间。

3.如权利要求2所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述势垒层为AlxGa1-xN层，0.03≤x≤0.15。

4.如权利要求3所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述应力失配层为AlN层，所述势阱层为GaN层。

5.如权利要求4所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述AlxGa1-xN层的厚度大于所述AlN层的厚度。

6.如权利要求5所述的发光芯片外延层，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种发光芯片外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述异质结插入层还包括势垒层，所述势垒层位于所述n型层和所述应力失配层之间。

3.如权利要求2所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述势垒层为alxga1-xn层，0.03≤x≤0.15。

4.如权利要求3所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述应力失配层为aln层，所述势阱层为gan层。

5.如权利要求4所述的发光芯片外延层，其特征在于，所述alxga1-xn层的厚度大于所述aln层的厚度。

6.如权利要求5所述的发光芯片外延层，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兆斌，荀利凯，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：