【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体芯片封装超声波焊接工具。更具体地，本申请涉及一种键合劈刀，用于将金属引线键合至键合垫(bond pad)/引脚上。
技术介绍
1、目前，在半导体芯片的生产过程中，封装工序是至关重要的一步。引线键合技术是封装工序中最常使用的技术之一，用于将金属引线的两端分别焊接在晶粒的焊盘和引脚的焊盘上，实现晶粒与引脚的电联接。
2、通常，引线键合包括形成第一键合点(也称，球键合)的步骤和形成第二键合点的步骤。通常在进行第二键合点键合时，键合劈刀沿竖直方向向下运动，并通过其端面挤压引线。引线受端面传递的能量而变得熔融并与焊盘相接。随后，键合劈刀沿竖直方向向上运动，带动键合劈刀通孔内的引线与熔融相接至焊盘的引线产生牵扯并随之断开。由此，第二键合点键合完成，并且第二键合点在焊盘上形成鱼尾状。
3、可见，键合劈刀是球键合步骤的关键工具，其对键合质量有决定性的影响。因此本领域存在持续改进键合劈刀的各个方面以实现更优化的键合性能的需求。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提...
【技术保护点】
1.一种键合劈刀，包括：主体，所述主体设有沿其轴线的方向贯穿所述主体的通孔，所述主体的头部具有与所述通孔的内周表面相交的端面，其特征在于，所述端面包括多个与所述轴线同心设置的端侧环形带，每个端侧环形带的宽度为大于等于1微米至小于等于20微米，每个端侧环形带内沿周向均匀地布置有从所述端侧环形带内侧边缘延伸到外侧边缘的多个端侧凹陷部，所述每个端侧环形带的表面积的35％-75％为端侧凹陷部，径向最内侧的端侧环形带内的端侧凹陷部的最大深度大于等于1微米至小于等于10微米；
2.根据权利要求1所述的键合劈刀，其特征在于，所述多个端侧环形带的顶面位于同一端侧圆锥面内，...
【技术特征摘要】
1.一种键合劈刀，包括：主体，所述主体设有沿其轴线的方向贯穿所述主体的通孔，所述主体的头部具有与所述通孔的内周表面相交的端面，其特征在于，所述端面包括多个与所述轴线同心设置的端侧环形带，每个端侧环形带的宽度为大于等于1微米至小于等于20微米，每个端侧环形带内沿周向均匀地布置有从所述端侧环形带内侧边缘延伸到外侧边缘的多个端侧凹陷部，所述每个端侧环形带的表面积的35％-75％为端侧凹陷部，径向最内侧的端侧环形带内的端侧凹陷部的最大深度大于等于1微米至小于等于10微米；
2.根据权利要求1所述的键合劈刀，其特征在于，所述多个端侧环形带的顶面位于同一端侧圆锥面内，所述端侧圆锥面相对于垂直于所述轴线的平面的夹角fa大于等于0度且小于等于15度。
3.根据权利要求2所述的键合劈刀，其特征在于，每个所述环状筋的顶面均位于所述端侧圆锥面内，每个所述环状筋的宽度大于0微米且小于等于10微米。
4.一种键合劈刀，包括：主体，所述主体设有沿其轴线的方向贯穿所述主体的通孔，所述主体的头部具有与所述通孔的内周表面相交的端面，其特征在于，所述端面包括多个与所述轴线同心设置的端侧环形带，每个端侧环形带的宽度为大于等于1微米至小于等于20微米，每个端侧环形带内沿周向均匀地布置有从所述端侧环形带内侧边缘延伸到外侧边缘的多个端侧凹陷部，所述每个端侧环形带的表面积的35％-75％为端侧凹陷部，径向最内侧的端侧环形带内的端侧凹陷部的最大深度大于等于1微米至小于等于10微米；
5.根据权利要求4所述的键合劈刀，其特征在于，所述多个端侧环形带的顶面均位于同一端侧圆锥面内，所述端面相对于垂直于所述轴线的平面的夹角fa大于等于0度且小于等于15度。
6.根据权利要求5所述的键合劈刀，其特征在于，每个所述环状槽的宽度大于0微米且小于等于10微米。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的键合劈刀，其特征在于，沿所述键合劈刀的轴向看，所述端侧凹陷部大致为圆形。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的键合劈刀，其特征在于，沿所述键合劈刀的轴向看，所述端侧凹陷部被构造大致为梯形，其中梯形的顶边位于对应端侧环形带的内侧边缘并且具有大于等于2微米至小于等于10微米的长度，梯形的底边位于对应端侧环形带的外侧边缘并且具有大于等于3微米至小于等于20微米的长度。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏振军，耿艳玲，蔡晓东，王川，
申请(专利权)人：小精密工具有限公司，
类型：新型
国别省市：
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