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本申请涉及发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法。其中发光芯片外延层包括：N型层，生长于N型层之上的异质结插入层，生长于异质结插入层之上的量子阱层，生长于量子阱层之上的P型层。其中异质结插入层包括沿生长方向依次生长的应力失配层和势...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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