一种IO输出保护电路制造技术

技术编号:41330999 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-20 09:52
本技术涉及IO电路保护技术领域,尤其涉及一种IO输出保护电路。该电路包括光耦P10、MOS管Q1、第一输出模块和保险丝F1,光耦P10的接脚3与MOS管Q1电性连接,光耦P10的接脚4与第一输出模块的输入端电性连接,第一输出模块的输出端与保险丝F1的一端电性连接,保险丝F1的另一端与MOS管Q1电性连接。通过保险丝F1的作用能够在输出点增加200mA的自恢复保护,同时在第一输出模块内增设反接二极管D10以及电容C249,反接二极管D10能够吸引续流后减少叠加电压对MOS管Q1的损害,电容C249对高电平进行高频滤波能够有效避免错误输出的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及io电路保护,尤其涉及一种io输出保护电路。


技术介绍

1、io接口是模拟以及数字信号传输常用的io模块,具有接收或者发送的功能。可将芯片内部控制信号或者数据传输给其它芯片,也能接收外部芯片发送的数据,实现数据传输或控制功能。

2、在以往的io输出电路中,可能在输出端外接继电器进行控制,由于继电器线圈是电感线圈,电感上的电流是不能突变的,所以在线圈断电的瞬间会产生与原电压极性相反的反向电动势,反向电动势会叠加造成mos管的损坏;同时在一般的滤波电路中,通常电容会采取接地的设计,如果产品上输出的有效电平是低电平,电容的接地设计在受到干扰的情况下会在输出点出现低电平的情况,进而容易导致输出错误。


技术实现思路

1、本技术提供了一种io输出保护电路,用以解决现有技术中电感线圈叠加的反向电动势容易导致mos管损坏、电容的接地设置在输出点出现低电平容易引起输出错误的问题。

2、为解决上述问题,本技术提供了一种io输出保护电路,包括光耦p10、mos管q1、第一输出模块和保险丝f1,所述光耦p10的接脚3与所述mos管q1电性连接,所述光耦p10的接脚4与所述第一输出模块的输入端电性连接,所述第一输出模块的输出端与所述保险丝f1的一端电性连接,所述保险丝f1的另一端与所述mos管q1电性连接。

3、在一种优选的实施方式中,所述第一输出模块包括电阻r54、发光二极管y10、反接二极管d10和电容c249,所述发光二极管y10、所述反接二极管d10和所述电容c249相互并联,所述电阻r54的一端与所述光耦p10的接脚4电性连接,所述电阻r54的另一端与所述发光二极管y10的正极端电性连接,所述发光二极管y10的负极端与所述保险丝f1的一端电性连接,所述保险丝f1的另一端与所述mos管q1电性连接。

4、在一种优选的实施方式中,所述io输出保护电路还包括光耦p11、第二输出模块和保险丝f2,所述光耦p11的接脚3与所述mos管q1电性连接,所述光耦p11的接脚4与所述第二输出模块的输入端电性连接,所述第二输出模块的输出端与所述保险丝f2的一端电性连接,所述保险丝f2的另一端与所述mos管q1电性连接。

5、在一种优选的实施方式中,所述第二输出模块包括电阻r59、发光二极管y11、反接二极管d11和电容c250,所述发光二极管y11、所述反接二极管d11和所述电容c250相互并联,所述电阻r59的一端与所述光耦p11的接脚4电性连接,所述电阻r59的另一端与所述发光二极管y11的正极端电性连接,所述发光二极管y11的负极端与所述保险丝f2的一端电性连接,所述保险丝f2的另一端与所述mos管q1电性连接。

6、本技术的有益效果是:本技术提出一种io输出保护电路,该电路包括光耦p10、mos管q1、第一输出模块和保险丝f1,其中第一输出模块内设置有反接二极管d10和电容c249,在该电路中,增加500ma的自恢复保险丝f1能够保护mos管q1不受到损坏,同时反接二极管d10能够进一步的减少反向电动势叠加形成的电压对mos管q1的损害,电容c249做高电平高频滤波功能,进一步的避免在输出点出现低电平的现象引起错误输出的情况。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IO输出保护电路,其特征在于,包括光耦P10、MOS管Q1、第一输出模块和保险丝F1,所述光耦P10的接脚3与所述MOS管Q1电性连接,所述光耦P10的接脚4与所述第一输出模块的输入端电性连接,所述第一输出模块的输出端与所述保险丝F1的一端电性连接,所述保险丝F1的另一端与所述MOS管Q1电性连接。

2.根据权利要求1所述的IO输出保护电路,其特征在于,所述第一输出模块包括电阻R54、发光二极管Y10、反接二极管D10和电容C249,所述发光二极管Y10、所述反接二极管D10和所述电容C249相互并联,所述电阻R54的一端与所述光耦P10的接脚4电性连接,所述电阻R54的另一端与所述发光二极管Y10的正极端电性连接,所述发光二极管Y10的负极端与所述保险丝F1的一端电性连接,所述保险丝F1的另一端与所述MOS管Q1电性连接。

3.根据权利要求1所述的IO输出保护电路,其特征在于,所述IO输出保护电路还包括光耦P11、第二输出模块和保险丝F2,所述光耦P11的接脚3与所述MOS管Q1电性连接,所述光耦P11的接脚4与所述第二输出模块的输入端电性连接,所述第二输出模块的输出端与所述保险丝F2的一端电性连接,所述保险丝F2的另一端与所述MOS管Q1电性连接。

4.根据权利要求3所述的IO输出保护电路,其特征在于,所述第二输出模块包括电阻R59、发光二极管Y11、反接二极管D11和电容C250,所述发光二极管Y11、所述反接二极管D11和所述电容C250相互并联,所述电阻R59的一端与所述光耦P11的接脚4电性连接,所述电阻R59的另一端与所述发光二极管Y11的正极端电性连接,所述发光二极管Y11的负极端与所述保险丝F2的一端电性连接,所述保险丝F2的另一端与所述MOS管Q1电性连接。

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【技术特征摘要】

1.一种io输出保护电路,其特征在于,包括光耦p10、mos管q1、第一输出模块和保险丝f1,所述光耦p10的接脚3与所述mos管q1电性连接,所述光耦p10的接脚4与所述第一输出模块的输入端电性连接,所述第一输出模块的输出端与所述保险丝f1的一端电性连接,所述保险丝f1的另一端与所述mos管q1电性连接。

2.根据权利要求1所述的io输出保护电路,其特征在于,所述第一输出模块包括电阻r54、发光二极管y10、反接二极管d10和电容c249,所述发光二极管y10、所述反接二极管d10和所述电容c249相互并联,所述电阻r54的一端与所述光耦p10的接脚4电性连接,所述电阻r54的另一端与所述发光二极管y10的正极端电性连接,所述发光二极管y10的负极端与所述保险丝f1的一端电性连接,所述保险丝f1的另一端与所述mos管q1电性连接。

3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄飞宋鹏程章林邓进锋
申请(专利权)人:深圳市朗宇芯科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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