具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件具有：绝缘衬底；第一导电类型的第一半导体层，其形成于绝缘衬底上；第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，其源极和漏极之一形成于第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其形成于绝缘衬底上；以及第二导电类型的第二垂直场效应晶体管，其源极和漏极之一形成于第二半导体层上。第一半导体层与第二半导体层彼此直接接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件。具体而言，本专利技术涉及一种具有垂 直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
MISFET (金属绝缘半导体场效应晶体管)已被小型化，其实现了 集成度及性能的改善。近年来，MISFET达到其栅极绝缘膜的厚度小于 2nm并且其栅极长度小于50nm的水平。然而，典型的MISFET的进一 步小型化变得更加困难，因为这导致诸如泄露电流和特性变异性增加 的问题。即，利用典型的MISFET变得更加难以进一步改善集成度。近年来，出于改善集成度的目的，提出使用垂直MISFET。 例如，在日本特开专利申请JP-H06-069441 、日本特开专利申请 JP-H07-099311、日本特开专利申请JP-H08-088328、日本特开专利申请 JP-H09-232447、日本特开专利申请JP-2002-158350以及日本特开专利 申请JP-2003-163282中描述了垂直MISFET。在典型的平面MISFET 的情况下，沟道电流在平行于衬底表面的水平方向上流动。相比之下， 垂直MISFET具有沟道电流在垂直于衬底表面的垂直方向上流动的结 构。与平面MISFET本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　绝缘衬底；　第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层形成于所述绝缘衬底上；　所述第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，所述第一垂直场效应晶体管的源极和漏极之一形成于所述第一半导体层上；　第二导电类型的第二半 导体层，所述第二半导体层形成于所述绝缘衬底上；以及　所述第二导电类型的第二垂直场效应晶体管，所述第二垂直场效应晶体管的源极和漏极之一形成于所述第二半导体层上，　其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层彼此直接接触。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-27 2008-2181551.一种半导体器件，包括绝缘衬底；第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层形成于所述绝缘衬底上；所述第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，所述第一垂直场效应晶体管的源极和漏极之一形成于所述第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层形成于所述绝缘衬底上；以及所述第二导电类型的第二垂直场效应晶体管，所述第二垂直场效应晶体管的源极和漏极之一形成于所述第二半导体层上，其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层彼此直接接触。2. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一金属层，所述 第一金属层被形成为与所述第一半导体层和所述第二半导体层这两者 均接触。3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一金属层形成于所述第一半导体层与所述第二半导 体层之间的接触边界的上方。4. 根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一金属层的至少一部分形成于所述第一半导体层和 所述第二半导体层的上表面之下。5.根据权利要求2所述的半导体器件， 其中，所述第一金属层具有 与所述第一半导体层接触的第一侧表面； 与所述第二半导体层接触的第二侧表面；以及与所述第一半导体层和所述第二半导体层接触的底表面。6. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹内洁，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]