微透镜阵列制造技术

本发明专利技术提供一种微透镜阵列，其是通过将由硅化合物与硼化合物或铝化合物反应而获得的树脂进行成形而制成，其中该硅化合物由下式（Ⅰ）表示，其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］各自独立地表示烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基，其中多个Ｒ↑［１］是相同或不同的并且多个Ｒ↑［２］是相同或不同的；Ｘ表示羟基、烷氧基、烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基；ｎ是４～２５０。即使当应用于具有增加功率的ＬＥＤ和发射具有短波长的蓝光的ＬＥＤ时，该微透镜阵列也具有优异的耐热性和耐光性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微透镜阵列。更特别地，本专利技术涉及用于光电设备的 微透镜阵列。
技术介绍
微透镜阵列用于光电设备如液晶投影仪、摄像机、取景器和便携式电视。例如，为了获得使来自LED阵列的光聚集的效果或者提高LED 阵列亮度的效果的目的，使用了微透镜阵列(参见JP-A-2005-276849)。 此外，已知丙烯酸树脂为用于制造微透镜阵列的树脂(参见 JP-A-2001-272507)。提高亮度的可能的措施是增大LED的功率从而增加发光量。然而， 若增加发光量则LED产生大量的热。另外，即使当使用丙烯酸树脂时， 这类LED的使用也会导致耐热性不足的情况。因此，期望具有优异耐 热性的微透镜阵列。还期望即使在LED的蓝光的短波长处也具有优异 耐光性的微透镜阵列。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种微透镜阵列，其即使当应用于具有增加 功率的LED和发射具有短波长的蓝光的LED时，也具有优异的耐热性 和耐光性。艮P，本专利技术提供以下项。1. 一种微透镜阵列，其是通过将由硅化合物与硼化合物或铝化合 物反应得到的树脂进行成形而制成，其中该硅化合物由下式(I)表示<formula>f本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微透镜阵列，其是通过将由硅化合物与硼化合物或铝化合物反应得到的树脂进行成形而制成，其中该硅化合物由下式（Ⅰ）表示：　　　　Ｘ－（－＊ｉ－Ｏ－）↓［ｎ］－Ｈ　　（Ⅰ）　　　　其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］各自独立地表示烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基，其中多个Ｒ↑［１］是相同或不同的并且多个Ｒ↑［２］是相同或不同的；Ｘ表示羟基、烷氧基、烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基；ｎ是４～２５０。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-27 2008-2175181.一种微透镜阵列，其是通过将由硅化合物与硼化合物或铝化合物反应得到的树脂进行成形而制成，其中该硅化合物由下式(I)表示其中R1和R2各自独立地表示烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基，其中多个R1是相同或不同的并且多个R2是相同或不同的；X表示羟基、烷氧基、烷基、环烷基、烯基、炔基或者芳基；n是4～250。2. 根据权利要求1的微透镜阵列，其中该硼化合物是由下式(II)表示的化合物<formula>formula see original document page 2</formula>其中Y1、...

【专利技术属性】
技术研发人员：末广一郎，片山博之，赤沢光治，薄井英之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]