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本发明涉及具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件具有：绝缘衬底；第一导电类型的第一半导体层，其形成于绝缘衬底上；第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，其源极和漏极之一形成于第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其形...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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