应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法和装置制造方法及图纸

技术编号:41327491 阅读:24 留言:0更新日期:2024-05-13 15:05
本申请提供一种应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法和装置,属于存储器技术领域,所述方法包括:基于目标DRAM对应的刷新周期确定常规刷新操作对应的时间节点;基于常规刷新操作对应的时间节点,根据第一刷新策略向目标DRAM发送刷新指令;在延迟未执行的刷新操作的实时数量达到预设上限值的情况下,基于第二刷新策略向目标DRAM发送刷新指令,能够最大限度避免刷新操作对DRAM访问的影响,进而提高DRAM的工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器,尤其涉及一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法和装置。


技术介绍

1、在dram(dynamic random access memory,动态随机存取存储器)颗粒中,刷新(refresh)起着至关重要的作用。由于dram是依靠电容保存数据,而电容会随着时间的推移而逐渐失去电荷,因此需要定期刷新以重新充电。刷新是指通过读取存储在dram中的每个数据位,并将其重新写入,通过刷新不仅可确保数据的持久性,还能提高存储器的可靠性和访问速度。

2、现有技术会通过dram控制器周期性地向dram发送刷新指令以控制dram定时刷新。但在发送刷新指令后有一段时间是不能对dram进行任何访问的,因此现有的刷新策略会打断对dram的访问,因此会影响dram的工作效率。


技术实现思路

1、本申请提供一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法和装置,能够最大限度避免刷新操作对dram访问的影响,进而提高dram的工作效率。

2、本申请提供一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法,所述方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

3.根据权利要求2所述的应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述根据第一刷新策略向目标DRAM发送刷新指令,具体包括:

4.根据权利要求3所述的应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述基于第二刷新策略向目标DRAM发送刷新指令,具体包括:

5.根据权利要求4所述的应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述向目标DRAM发送延迟未...

【技术特征摘要】

1.一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述方法还包括:

3.根据权利要求2所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令,具体包括:

4.根据权利要求3所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令,具体包括:

5.根据权利要求4所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法,其特征在于,所述向目标dram发送延迟未执行的刷新操作对应的刷新指令,具体包括:

6.根据权利要求5所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨帆王晓阳何亚军
申请(专利权)人:上海奎芯集成电路设计有限公司
类型:发明
国别省市:

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