具高ｄ＊无铅压电陶瓷－聚合物压电复合材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有高ｄ↓［３３］的无铅压电陶瓷－聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式（１－ｘ）（Ｌｉ↓［ａ］Ｎａ↓［ｂ］Ｋ↓［１－ａ－ｂ］）（Ｎｂ↓［１－ｃ］Ｓｂ↓［ｃ］）Ｏ↓［３］－ｘＡＢＯ↓［３］－ｙＭ组分配料，采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料；再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超声震荡，将混合粉料经冷压成型后加温处理，再在其表面溅射金电极，硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能ｄ↓［３３］；最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡，再测试其样品的压电性能ｄ↓［３３］。结果表明，经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷－聚合物压电复合材料的ｄ↓［３３］比未经浸泡过的有大幅度提高，提高比例甚至可达３００％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法，特别涉及一种具 有高A的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷与聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)压电复合陶瓷材料的制 备方法，属于压电复合材料

技术介绍
压电陶瓷由于其优良的压电性能，且能够用传统的烧结方式获得，因此成为了现在 应用最为广泛的一种压电材料。但是，压电陶瓷虽然拥有良好的压电性能，却有较大的 脆性，因而限制了其应用。而压电材料的发展方向是即具有高的压电性能且拥有一定的 韧性，因此早在1972年日本的北山中村制备了BT-PVDF复合材料，开创了这类材料的先 河。接着，1978年美国宾州州立大学的R.E.Newnham等人结合前人的研究开创性地提出 了压电和热释电复合材料的概念，从此压电复合材料成为压电材料的一个研究的重点。 但是在过去的三十年里具有较好综合性能的且制备简单的0-3型压电复合材料的&难以 得到有效的提高，即使使用了拥有高达600pC/N的^的PZT压电陶瓷与PVDF的复合材料， 有文献报道其A最高值也在65pC/N左右。此外，国内外现在通常采用含铅的压电陶瓷与PVDF、 P(VDF/TrFE)以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高ｄ↓［３３］的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷－聚合物压电复合材料的制备方法，其特征在于包括以下工艺步骤：　　　　（１）铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉末的制备：以分析纯的无水碳酸盐或氧化物为原料，采用传统无铅压电陶瓷制备工艺，按照化学通式（１－ｘ）（Ｌｉ↓［ａ］Ｎａ↓［ｂ］Ｋ↓［１－ａ－ｂ］）（Ｎｂ↓［１－ｃ］Ｓｂ↓［ｃ］）Ｏ↓［３］－ｘＡＢＯ↓［３－ｙ］Ｍ组分配料，其中，ａ、ｂ、ｃ、ｘ和ｙ为各元素在材料组分中所占的原子百分比，且：０＜ａ≤０．１５，０≤ｂ≤１，０≤ｃ＜１，０≤ｘ≤０．１，０≤ｙ≤０．０２；Ａ为Ａｇ↑［＋］、Ｍｇ↑［２＋］、Ｃａ↑［２＋］、Ｂａ↑［２＋］、Ｓｒ↑［２＋］、Ｂｉ↑［３＋...

【技术特征摘要】
1.一种具有高d33的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法，其特征在于包括以下工艺步骤(1)铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉末的制备以分析纯的无水碳酸盐或氧化物为原料，采用传统无铅压电陶瓷制备工艺，按照化学通式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，其中，a、b、c、x和y为各元素在材料组分中所占的原子百分比，且0＜a≤0.15，0≤b≤1，0≤c＜1，0≤x≤0.1，0≤y≤0.02；A为Ag+、Mg2+、Ca2+、Ba2+、Sr2+、Bi3+、La3+、Y3+、Yb3+；B为Ta5+、Ti4+、Zr4+、Mn3+、Sc3+、Fe3+、In3+、Al3+、Ga3+、Cr3+、Co3+；M为至少选自下列一种金属的碳酸盐或者氧化物Na、K、Li、Ag、Ta、Sb、Al、Cu、Mn、Fe、Ca、Ba、Mg、Sr、La、Co、Y、Zn、Bi、Ga、In、Yb；(2)将步骤(1)中制备好的陶瓷粉末与聚合物聚偏氟乙烯按照体积分数50∶50、或60∶40、或70∶30、或80∶20、或90∶10的比例混...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱基亮，王明松，李绪海，朱建国，肖定全，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]