一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，属于半导体功率器件技术领域，包括：在N+型4H‑SiC衬底正面生长N‑型SiC外延层；在N+型4H‑SiC衬底背面沉积欧姆接触金属层，并进行RTP退火处理；在N‑型SiC外延层正面沉积肖特基金属和正面接触金属层；湿法刻蚀肖特基金属和正面接触金属层形成分隔的金属图形；采用干法刻蚀继续刻蚀金属图形间裸露的N‑型SiC外延层；在正面沉积SiO<subgt;2</subgt;层，刻蚀SiO<subgt;2</subgt;层形成隔离窗口；对二极管进行退火处理；采用聚酰亚胺薄膜对正面结构进行保护；沉积背面接触金属层，完成碳化硅肖特基二极管的制备。本发明专利技术能够减小反向阻断损耗，且该方法工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，用于提升器件性能，属于半导体功率器件。

技术介绍

1、碳化硅作为新一代半导体材料，具有更大的禁带宽度、更快的电子饱和漂移速率、更高的热导率，是制备功率器件的理想材料。目前，碳化硅肖特基二极管作为开关器件已经开始广泛使用，其具有优异的反向恢复特性并且能够承受高击穿场强。然而，作为肖特基二极管器件，由于器件结构本身局限，其反向漏电流明显高于pn结碳化硅二极管。因此，需要降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流，减小反向电流的热效应，提高电路效率。

2、在现有技术中，通常采用两种常用的方法来降低碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。一是在碳化硅外延层和肖特基金属间加入一层薄介质层，调节肖特基势垒高度，以降低碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。二是在碳化硅外延层部分区域进行p型掺杂，形成pn结，在反向偏压下限制通过二极管的电流。上述两种方法，新的介质层插入和部分区域p型掺杂都会增加多步工艺，导致生产效率下降，生产成本提高，碳化硅肖特基二极管的性价比降低。

技术实现思路

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，步骤(5)中，N-型SiC外延层的刻蚀深度为10-50nm，干法刻蚀采用混合气体SF6+O2、NF3+O2或BCl3+Cl2组合。

3.根据权利要求2所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，步骤(7)中，退火处理在真空环境下进行，退火温度范围为400℃至550℃，退火时间2-6小时。

4.根据权利要求3所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，真空环境采用真空烘箱实现。...

【技术特征摘要】

1.一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，步骤(5)中，n-型sic外延层的刻蚀深度为10-50nm，干法刻蚀采用混合气体sf6+o2、nf3+o2或bcl3+cl2组合。

3.根据权利要求2所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，步骤(7)中，退火处理在真空环境下进行，退火温度范围为400℃至550℃，退火时间2-6小时。

4.根据权利要求3所述的降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，其特征在于，真空环境采用真空烘箱实现。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟宇，来玲玲，苑登文，韩吉胜，汉多科·林纳威赫，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：