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本发明涉及一种降低碳化硅肖特基二极管反向漏电流的方法，属于半导体功率器件技术领域，包括：在N+型4H‑SiC衬底正面生长N‑型SiC外延层；在N+型4H‑SiC衬底背面沉积欧姆接触金属层，并进行RTP退火处理；在N‑型SiC外延层正面沉积肖...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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