自由直流电压生成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种自由直流电压生成电路，以在提供稳定电压的同时适于提供大电流，该电路包括：整流电路、整流电路的正极经电阻连接第一ＰＮＰ三极管的发射极，第一ＰＮＰ三极管的基极接ＭＯＳ管的ｄ极，第一ＰＮＰ三极管的集电极接ＭＯＳ管的ｇ极，ＭＯＳ管的ｓ极接整流电路的负极，第一ＰＮＰ三极管的发射极和集电极分别与第二ＰＮＰ三极管的发射极和基极相连，ＭＯＳ管的ｄ极串接电感后与稳压管的阳极相连，稳压管的阴极与串接第六电阻后接第二ＰＮＰ三极管的发射极，第二ＰＮＰ三极管的基极串接第五电阻后接稳压管的阴极，稳压管的阳极和第二ＰＮＰ三极管的发射极分别接电解电容的分别为自由直流电压的负极端和正极端的负极和正极。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种自由直流电压生成电路。
技术介绍
现有技术中，将交流电源转换为较稳定的直流电源的电路，往往采用三端稳压器， 其不足之处在于在提供稳定电压的同时，不能提供大电流，从而限制了其应用场合。因此， 如何使直流电压生成电路在提供稳定电压的同时，适于提供大电流，是本领域的技术难题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、在提供稳定电压的同时适 于提供大电流的自由直流电压生成电路。 为解决上述技术问题，本技术提供了一种自由直流电压生成电路，包括用于连接交流电源的整流电路、连接于整流电路的正负极之间的第一电解电容，整流电路的正极经第一电阻连接第一PNP三极管的发射极，第一PNP三极管的基极串接第二电阻后接MOS管的d极，第一 PNP三极管的集电极接M0S管的g极，M0S管的s极接整流电路的负极，第一PNP三极管的发射极和集电极分别与第二 PNP三极管的发射极和基极相连，MOS管的d极接电感的一端，电感的另一端与一第二稳压管的阳极相连，第二稳压管的阴极与串接第六电阻后接第二 PNP三极管的发射极，第二 PNP三极管的基极串接第五电阻后接第二稳压管的阴极，第二稳压管的阳极和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自由直流电压生成电路，其特征在于包括：用于连接交流电源的整流电路（Ｄ１－Ｄ４）、连接于整流电路（Ｄ１－Ｄ４）的正负极之间的第一电解电容（Ｃ１），整流电路（Ｄ１－Ｄ４）的正极经第一电阻（Ｒ１）连接第一ＰＮＰ三极管（Ｑ１）的发射极，第一ＰＮＰ三极管（Ｑ１）的基极串接第二电阻（Ｒ２）后接ＭＯＳ管（Ｔ）的ｄ极，第一ＰＮＰ三极管（Ｑ１）的集电极接ＭＯＳ管（Ｔ）的ｇ极，ＭＯＳ管（Ｔ）的ｓ极接整流电路（Ｄ１－Ｄ４）的负极，第一ＰＮＰ三极管（Ｑ１）的发射极和集电极分别与第二ＰＮＰ三极管（Ｑ２）的发射极和基极相连，ＭＯＳ管（Ｔ）的ｄ极接电感（Ｌ）的一端，电感（Ｌ）的另一端与一第二稳压管（Ｚ２）的阳极相连，第...

【技术特征摘要】
一种自由直流电压生成电路，其特征在于包括用于连接交流电源的整流电路(D1-D4)、连接于整流电路(D1-D4)的正负极之间的第一电解电容(C1)，整流电路(D1-D4)的正极经第一电阻(R1)连接第一PNP三极管(Q1)的发射极，第一PNP三极管(Q1)的基极串接第二电阻(R2)后接MOS管(T)的d极，第一PNP三极管(Q1)的集电极接MOS管(T)的g极，MOS管(T)的s极接整流电路(D1-D4)的负极，第一PNP三极管(Q1)的发射极和集电极分别与第二PNP三极管(Q2)的发射极和基极相连，MOS管(T)的d极接电感(L)的一端，电感(L)的另一端与一第二稳压管(Z2)的阳极相连，第二稳压管(Z2)的阴极与串接第六电阻(R6)后接第二PNP三极管(Q2)的发射极，第二PNP三极管(Q2)的基极串接第五电阻(R5)后接第二稳压管(Z2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张存明，陈小东，
申请(专利权)人：浙江南电电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]