【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种用于监测pmos管阈值电压的电路。
技术介绍
1、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,mosfet或mos)是集成电路中常用的半导体器件。其中，阈值电压vth是mos管的重要参数之一。该阈值电压vth是指当si和sio2界面处的少数载流子的浓度等于所掺杂的多数载流子的浓度时(即，mos器件处于临界导通的状态时)，该mos器件的栅极电压。一般情况下，该阈值电压vth与衬底的掺杂浓度、氧化层的厚度、氧化层和界面的陷阱密度(取决于所俘获的电荷数)、环境温度等因素有关。在mos管工作过程中，所俘获的电荷数、环境温度都会引起该阈值电压vth的实时变化，而且现有方法很难实时且准确的监测出mos管阈值电压的变化。
技术实现思路
1、本申请提供了一种用于监测pmos管阈值电压的电路，该电路包括：
2、依次连接的奇数个波动电路，其中奇数个波动电路被配置为利用输入信号在...
【技术保护点】
1.一种用于监测PMOS管阈值电压的电路，其特征在于，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的用于监测PMOS管阈值电压的电路，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测PMOS管的阈值电压超出预设电压范围的上限；若所述振荡信号的所述振荡周期超出所述预设周期范围的下限，则指示出所述第一待测PMOS管的阈值电压超出所述预设电压范围的下限；若所述振荡信号的所述振荡周期处于所述预设周期范围内，则指示出所述第一待测PMOS管的阈值电压处于所述预设电压范围内。
3.根据权利要求1所述的用于监测PMOS管阈值电压的...
【技术特征摘要】
1.一种用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压超出预设电压范围的上限；若所述振荡信号的所述振荡周期超出所述预设周期范围的下限，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压超出所述预设电压范围的下限；若所述振荡信号的所述振荡周期处于所述预设周期范围内，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压处于所述预设电压范围内。
3.根据权利要求1所述的用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压超出预设电压范围的下限；若所述振荡信号的所述振荡周期超出所述预设周期范围的下限，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压超出所述预设电压范围的上限；若所述振荡信号的所述振荡周期处于所述预设周期范围内，则指示出所述第一待测pmos管的阈值电压处于所述预设电压范围内。
4.根据权利要求1所述的用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，在反相后的输入信号由所述第二电平转换为所述第一电平时，所述奇数个波动电路监测第二待测pmos管的阈值电压的变化并产生指示由所述第二电平转换为所述第一电平所需时长的第二信号，再将所述第二信号反馈至所述奇数个波动电路接收所述输入信号的输入端，以使所述输入信号由所述第二电平转换为所述第一电平，所述第二信号与所述反相后的输入信号同相位，其中所述第一待测pmos管和所述第二待测pmos管的阈值电压的变化情况相同。
5.根据权利要求1所述的用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，当所述第一待测pmos管的阈值电压发生变化时，所述第一信号由所述第一电平转换为所述第二电平所需的时长与由所述第二电平转换为所述第一电平所需的时长均会发生变化，从而改变所述振荡信号的所述振荡周期。
6.根据权利要求1所述的用于监测pmos管阈值电压的电路，其特征在于，所述奇数个波动电路中的每个波动电路均包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、及第二输出端；其中，所述奇数个波动电路中的第一个波动电路的第一输入端接收所述输入信号，所述第一个波动电路的第二输入端接收所述反相后的的输入信号，相邻的两个波动电路中的前一个波动电路的第一输出端连接后一个波动电路的第一输入端，相邻的两个波动电路中的前一个波动电路的第二输出端连接后一个波动电路的第二输入端，所述奇数个波动电路中的最后一个波...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷宁淳，
申请(专利权)人：河南省科学院集成电路研究所，
类型：发明
国别省市：
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