具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法技术

本发明专利技术公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明专利技术是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电子材料，具体涉及具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法。

技术介绍

1、氮化镓(gan)基发光二极管(led)具有环保、无毒等优点，已获得广泛应用。然而，其应力高、晶体质量差以及出光效率低，导致其发光效率低。为了提高gan基led的发光效率，可采用在纳米多孔薄膜上生长gan基led。目前，已经尝试过多孔si、多孔gan等多种结构。但即使实现剥离，由于缺陷密度高、光提取效率低等原因导致发光效率仍然较低。在具有中孔gan dbr的中孔gan基多量子阱(mqw)上生长p-gan层，制备具有中孔gan dbr的中孔gan基led，缺陷密度的减少提高了晶体质量，dbr的高反射效应增强了光提取效率，导致其发光强度有望显著提高。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法，解决了现有技术中由于缺陷密度高、光提取效率低导致发光效率低的问题。

2、本专利技术采用的技术方案是：具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

2.根据权利要求1所述具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，其特征在于，步骤1中所述u-GaN/n-GaN周期性结构包括低掺杂GaN层和高掺杂GaN层，厚度均为51-67nm，低掺杂GaN层掺杂浓度为4.1×1015-9.9×1017cm-3，高掺杂GaN层掺杂浓度为3.1×1018-3.9×1019cm-3，周期数为5-20。

3.根据权利要求1所述具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，其特征在于，所述GaN基超晶格和多量子阱层的掺杂浓度...

【技术特征摘要】

1.具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

2.根据权利要求1所述具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法，其特征在于，步骤1中所述u-gan/n-gan周期性结构包括低掺杂gan层和高掺杂gan层，厚度均为51-67nm，低掺杂gan层掺杂浓度为4.1×1015-9.9×1017cm-3，高掺杂gan层掺杂浓度为3.1×1018-3.9×1019cm-3，周期数为5-20。

3.根据权利要求1所述具有中孔gan dbr的中孔gan基led的制备方法，其特征在于，所述gan基超晶格和多量子阱层的掺杂浓度均为3.1×1018-3.9×1019cm-3，所述超晶格结构是周期为10-11的inxga1-xn/gan超晶格结构，其中，0<x<0.09，每个周期中，inxga1-xn厚度为3-4nm，gan厚度为7nm；所述多量子阱层是周期15-29的inyga1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹得重，李兴，王赫，郭正全，成鹏飞，闫晓东，孙坤校，王菲斐，骆恬恬，第五淯暄，
申请(专利权)人：西安工程大学，
类型：发明
国别省市：