温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。