【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及计算机领域，尤其涉及一种存储芯片、存储设备和电子设备。
技术介绍
1、随着移动互联网、云计算、大数据、深度学习、物联网等技术的广泛应用，市场对低时延、高密度、大容量的数据存储的需求快速增长，其中，相变存储芯片作为应用前景被看好的非易失存储技术之一，已经在多种存储结构方向得到了商业化。
2、在一种存储芯片中，每个基本存储单元包括非易失存储芯片(non volatilememory，nvm)、选通管和多层电极材料。使用了选通管作为开关，在读写擦除操作方面要求nvm和选通管的电学性能相匹配。也就是说，选通管和nvm的串联方案复杂，导致制备工艺难，成本高。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种存储芯片、存储设备和电子设备。存储芯片中包括了多个存储单元，每个存储单元包括至少一个自选通存储层，且每层自选通存储层位于材料不同的第一缓冲层和第二缓冲层之间，并与第一缓冲层和第二缓冲层接触。自选通存储层具有选通特性和存储特性，使得每个存储单元在其两端的电压差值大于或等于电压阈值...
【技术保护点】
1.一种存储芯片，其特征在于，包括：多个存储单元；
2.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，构成所述自选通存储层的材料的化合物与构成所述第一缓冲层及所述第二缓存层的材料的化合物不同。
3.根据权利要求1或2所述的存储芯片，其特征在于，所述自选通存储层的材料包括硫系化合物。
4.根据权利要求3所述的存储芯片，其特征在于，所述硫系化合物为包括含硫元素、硒元素或者碲元素的化合物。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的存储芯片，其特征在于，所述至少一层自选通存储层中的目标自选通存储层包括第一子层及第二子层，构成所述第一子层...
【技术特征摘要】
1.一种存储芯片，其特征在于，包括：多个存储单元；
2.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，构成所述自选通存储层的材料的化合物与构成所述第一缓冲层及所述第二缓存层的材料的化合物不同。
3.根据权利要求1或2所述的存储芯片，其特征在于，所述自选通存储层的材料包括硫系化合物。
4.根据权利要求3所述的存储芯片，其特征在于，所述硫系化合物为包括含硫元素、硒元素或者碲元素的化合物。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的存储芯片，其特征在于，所述至少一层自选通存储层中的目标自选通存储层包括第一子层及第二子层，构成所述第一子层和所述第二子层的材料的化合物不同。
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