存储装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是在安装在以ＲＦＩＤ为典型的半导体装置中的存储元件中，提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明专利技术是具有有机化合物的存储元件，该有机化合物夹在电极之间，其中，将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外，由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件，从而，可以实现低成本化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有有机化合物的存储元件、具有该存储元件的存储 装置以及其制造方法。
技术介绍
目前，作为认识、鉴别事物和人的技术，正在对RFID(射频识 别系统)进4亍研究开发。这种RFID被利用于防止伪造有价证券和个 人识别，其用途净皮认为非常广泛。现有的RFID采用由硅片形成的IC (集成电路)芯片，以形成诸 如ROM和RAM之类的存储电路以及CPU等控制电路(参照专利文 献l)。(专利文献1)日本专利特开No.2000-20665 (图2 ) 像这样，在RFID中的由硅片形成的芯片是非透明的。并且，虽 然为了提高抗冲击性而有减小芯片尺寸的倾向，然而没有对薄型化进 行研讨，从而如果用于识别有价证券和个人而安装该芯片，在很多情 况下纟艮显眼。对这种RFID在产品标记方面的用途也正在进行研讨，而且要求 可以实现一次性使用程度的低成本化。因此，现在在从一块具有圆形 状的硅片母体得到多块芯片的情况下制造芯片，然而对提高抽取的效 率以实现低成本化已经接近极限。于是本专利技术的目的是提供存储元件和具有该元件的存储电路，其 中，所述存储元件通过减少制造步骤以实现低成本化。此外，本专利技术 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：　绝缘表面上的栅电极；　栅电极上的栅绝缘膜；　栅绝缘膜上的半导体膜，其中所述半导体膜包括杂质区；　所述半导体膜上的导电膜，有杂质区介于其间，其中所述导电膜具有源极或漏极功能；　所述导电膜上的 层间绝缘膜；其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提供有开口部分；　层间绝缘膜上的底部电极，其中所述底部电极在开口部分与漏极电连接；　形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物；和　形成在所述绝缘物上的上部电极。

【技术特征摘要】
JP 2005-1-31 2005-0246291.一种存储装置，包括绝缘表面上的栅电极；栅电极上的栅绝缘膜；栅绝缘膜上的半导体膜，其中所述半导体膜包括杂质区；所述半导体膜上的导电膜，有杂质区介于其间，其中所述导电膜具有源极或漏极功能；所述导电膜上的层间绝缘膜；其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提供有开口部分；层间绝缘膜上的底部电极，其中所述底部电极在开口部分与漏极电连接；形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物；和形成在所述绝缘物上的上部电极。2. 根据权利要求1的存储装置，其中所述绝缘物依光学作用或 热作用而改变其性质，且可以使所述底部电极和所述上部电极彼此短 路，并且含有选自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的材料。3. 根据权利要求1的存储装置，其中所述绝缘物依光学作用或i，并且包括选自4，4，-:[N-( l-萘基):N-苯基氨基l-联^、 4，4:-二[N-(3-曱基苯基)-N腳苯基-氨基卜联苯、4，4，，4陽三(N，N-二苯基氨基)-三苯胺、4，4，，4，，-三[]\- (3-甲基苯基)-N-苯基氨基卜三苯胺、4，4，-二N-(4-(N，N-二-m-甲苯基氨基)苯基)-N-苯基氨基]联苯、聚乙烯基咔 唑、酞花青染料、铜酞花青染料以及酞菁氧钒中的材料。4. 根据权利要求1的存储装置，其中所述半导体膜具有晶体结构。5，根据权利要求1的存储装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅见良信，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]